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[FAQ] [参考译文] [常见问题解答]为什么我的电子负载会导致高侧开关关断?

Guru**** 2322270 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1021866/faq-why-does-my-e-load-cause-my-high-side-switch-to-shut-down

当人们使用电子负载来模拟电阻负载时、一种常见的做法是在恒定电流模式下使用电子负载。 但是、这样、用户通常会遇到不必要的器件关断。 为什么会发生这种情况?

本质上、电阻负载的电流将始终与施加在其上的电压成正比、乘以其电阻系数。 在高侧开关 FET 导通期间、FET VDS 上的电压斜降(另一方面、电阻器上的电压斜升)、而通过 FET 的电流斜升。 FET 上的 IV 重叠损耗将是电压 VDS 和电流 ID 的积分

在恒定电流模式下、电子负载将具有一个闭环系统、在该系统中、它始终希望消耗预设电流。 这将降低 FET 导通过程中的电阻、从而使 ID 在时间周期 T2到 T3之间大幅增加。 这会导致额外的功率损耗、因为积分曲线下的面积更大、并在初始上电阶段导致热关断。

要使用电子负载模拟实际的电阻负载、请 在恒定电阻模式下使用、以避免高侧开关出现不必要的行为。