[参考译文] CSD19536KCS：CSD19536KCS 的导通开关能量和关断开关能量

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1021110/csd19536kcs-turn-on-switching-energy-and-the-turn-off-switching-energy-of-the-csd19536kcs

器件型号：CSD19536KCS

大家好、

我们收到了客户的此项询问。

我的问题与 CSD19536KCS MOSFET 的数据表有关。我想模拟开关损耗、因此需要导通/关断开关能量(最好使用与温度相关的图形、但我找不到它。您现在从何处获取此信息？

特别寻找：
CSD19536KCS 100V N 通道 NexFET 功率 MOSFET 的导通开关能量和关断开关能量

我们有这些信息吗？

此致、

Danilo

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2380000 points

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您好 Danilo、

感谢您向客户推广 TI FET。 TI 不为我们的任何 FET 提供导通和关断开关能量规格。通常、这是为 IGBT 指定的参数-而不是为 FET 指定的参数。可以估计导通和关断时间为1/2 x ID x Vds x ton (或 toff)、其中 ton (或 toff)是 FET 的导通(或关断)时间。可以计算导通和关断时间、这些时间在很大程度上取决于外部栅极驱动电路以及 FET 的内部栅极电阻和栅极电荷。希望这对您有所帮助。

此致、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2380000 points

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H John、

非常感谢您提供此信息。

此致、

Danilo

电源管理（参考译文帖）

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