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[参考译文] BQ25731：EMI 相关问题

admin
Guru**** 2519180 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25731

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1020418/bq25731-emi-related-questions

器件型号：BQ25731

在 BQ25731的参考设计中、Lodrv MFET 的栅极上有150pF 电容器； 150pF 似乎相当高-这对于降低栅极速度以符合辐射发射标准而言至关重要吗？ －还是其他原因？    

有关降低 EMI 的几个 TI 应用手册建议在 HIRV 栅极驱动器自举输入引脚和自举电容器之间串联一个电阻器； 这是否也适用于 BQ25731？ –如 BTST1和 BTST2引脚之间 C1和 C2上的电阻所示？  

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    TI__Guru**** 2519180 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Nicholas、您好！

    感谢您的联系。

    是的、您回答正确。 150pF 电容器用于降低导通和关断速度。 它有助于降低 EMI。  您可以在此处放置一个占位符、但 将其保留 为未填充状态以进行原型板/初始测试。

    原理图上没有 C1或 C2。 但是、如果您讨论的是 C15、C16、是的、您可以在此处添加一个串联电阻器到 BTST 以减缓开通。

    在该领域、您可以将我们充电器的功率级设计与其他直流/直流转换器相同。

    谢谢、我希望这对您有所帮助、

    Peng

    *如果我的答案 令人满意，请在主题中按“此已解决的我的问题”