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器件型号：TPS23754EVM-383 主题中讨论的其他器件： PMP9563
尊敬的专家：
我的客户已根据 TPS23754EVM-383设计了 POE 电路。
使用开关 MOSFET Si4848DY、它与 TPS23754EVM-383相同。
下面列出了问题、请提供建议。
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(1)它们通过计算示波器在 Vinmax (57V)和 Imax (2.5A)条件下测量的 VDS 和 ID 来测量 FET 损耗。
平均功耗(MOSFET：Q6)为3.67W、θ(j-a)最大值为82deg/W、因此结温为154.4度、这意味着超过绝对最大额定值(150度)。
是否可以认为 Si4848不能用于最大输入电压和最大电流。
(2)客户希望确认 TPS23754EVM-383的开关波形、您能提供吗？
它们的电路由于尖峰噪声而具有功率耗散、因此它们希望确认 EVM 的波形。
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感谢您提前提供的出色帮助。
此致、
新一
