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[参考译文] LM5117：可调节输出电压电源@ 8A (10V 至32V)、输入电压为48V

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5117, LM5145, CSD18563Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1015313/lm5117-adjustable-output-voltage-power-supply-8a-10v-to-32v-with-a-48v-input

器件型号：LM5117
主题中讨论的其他器件： LM5145、 CSD18563Q5A

我正在尝试构建一个可调电源、由 FB 电阻器周围的电位器控制、以通过48V 输入提供10V 至33V 至高达8A 的电流。

我已开始针对固定33V 或10V 输出进行 Webench 计算(下图)、并获取了评估板。 到目前为止、我未能使输出在整个调节范围内保持稳定。 我已经尝试过中间值(使用电子表格计算器计算24V 输出)、并且还尝试按照33V 示例在整个过程中保持低输出电容、以帮助器件在更高的电压下正确启动、 但是、如果调节范围超过20%(通过将电位计与  Rfb1串联或并联)、则会导致器件非常不稳定、或产生大量输出纹波、无法启动、 或在高于2A 的负载下变得不稳定。

让我想知道我是否可以尝试使用该器件执行什么操作？

感谢你的帮助。

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    安德烈斯、您好！

    请使用 LM5117快速入门计算器(尤其是在补偿方面)检查您的电路。 在10V 和33V 时、使用陶瓷输出电容的降额值、以确保 Vout = 10V 和33V 时的稳定性。 此外、确保 FB 走线短路、并使下部反馈电阻器非常靠近 FB 和 AGND 引脚。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    安德烈斯

    如果您需要进一步的支持、请发送您已完成的 LM5117快速入门计算器进行审核。

     您可以在设计时使输出电压处于范围的中间(例如、24V 提供50%占空比、这是电感纹波电流的最坏情况)、然后在10V 和33V 的输出电压限制下进行检查。 请注意、有效陶瓷输出电容器值将根据适用的输出电压而变化(请查看电容器数据表)、因此这将影响补偿。

     

    顺便说一下、如果不需要 CC 操作、LM5145电压模式控制器可提供更高的效率(更短的死区时间)和更低的成本。 如果仅修改较低的 FB 电阻(因为 FB 节点实际上位于交流 GND)、则反馈增益不会随 Vout 而变化、因此仅需要考虑 Cout 随 Vout 的变化。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好、Timothy、  

    谢谢。 我已经尝试过中点值、即21.5V、并根据快速入门计算器计算出补偿网络、电流感应、电感器和负载电容。 输出 t 开始在经过2A 负载的10V 电压下显示大量纹波、在超过4A 的电流下具有巨大的不稳定、在33V 电压下、输出甚至不会启动、并且在以超过500mA 的电流加载输出后会关断。

    如果有的话、LM5145会更好！ 实际上、这是该项目的首选。

    您是否知道使用 LM5117的任何设计能够在大于6A 的负载下实现上述输出范围？ 我只是认为、如果不更改 BOM、这是不可能的。

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    安德烈斯

    假设采用保守的补偿设计、将输出向上或向下移动50%不会严重影响稳定性。 是的、反馈增益将发生变化、有效输出电容(陶瓷)将随 Vout 变化。

    发送您的原理图和完整的 LM5117快速入门文件、以便我可以检查您的设计。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好、Timothy、

    谢谢。 请查找附件。 反馈调整在16K/398.14R 至16K/1.36k 之间移动 、因此 大约具有10.23V 至32.95V 的等效范围。 工作频率设置为201KHz。

    此外、我认为陶瓷电容器随电压降额应该是一件好事、因为我们似乎希望在更高的电压下具有更低的输出电容？

    我担心大部分负载电容。 在评估板(安装了470uF)上、我观察到了巨大的不稳定性、只需将其降至220uF 即可。 我不太相信、在不改变输出电容的情况下、这将能够充分发挥作用、例如、在10V 时为330uF、在24V 时为220uF、在33V 时为100uF。 我一直在想知道、如果我们引入了几个 MOSFET 开关来在这些电容之间移动、但让陶瓷负载保持恒定、依靠与电压降额相关的压降、控制器的行为将如何？

    e2e.ti.com/.../8780.lm_2800_2_2900_5117_5F00_quick_5F00_start_5F00_hv_5F00_calculator-V1.5.xls

    e2e.ti.com/.../LM5117_5F00_10to33at8A.pdf

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    安德烈斯、您好！

    我不建议动态添加电容、因为它可能会导致大过流。

    请注意、输出北电容的 ESR 很重要、即使它被陶瓷的低 ESR 分流。 陶瓷电容器不是40uF -由于电压降额、4 x10uF/50V 更像是24V 时的~15uF (请查看电容器数据表)。

    此外、请注意、快速启动中应使用5m Ω 的分流电阻值(这直接影响增益)。 检查最小 Vout 下的波特图、因为这是由于较高的有效反馈增益而导致交叉点增加的地方(将交叉点保持在 Fsw 的15%以下、即30kHz)。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2380860 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    顺便说一下、这些 NExperia FET 的效率有点低- 50nC 的高栅极电荷、高栅极电压米勒平坦区等 考虑使用更高效的5 x 6mm FET、例如 CSD18563Q5A 或更低的 Rdson 60V NexFET。

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好、Tim、

    感谢您的提示！ 我将尝试围绕这些值进行工作。

    此致、

    安德烈斯

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    听起来不错、Andres。 谢谢你。