[参考译文] EMB1499Q：如何使用缓冲电路消除开关节点中的寄生振荡器？

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1017441/emb1499q-how-about-using-snubber-ckt-to-eliminate-parasitic-oscillator-in-switching-node

器件型号：EMB1499Q

各位专家：

我在 EMB1499Q 直流/直流电路的开关节点中观察到高振幅寄生振荡器。假设初级侧有源钳位 PMOSFET 的漏极节点和次级侧同步整流器 MOSFET 的漏极模式。这样、PMOS 非常热、齐纳二极管(在次级侧)经常损坏、而且我担心振荡器会导致高 EMI。因此、我正在考虑在这些开关节点上添加一些缓冲电路。测试结果良好、移除了寄生振荡器。我想知道是否有任何潜在的问题：1. 在 PMOSFET 的漏极上添加缓冲电路、2. 使用 R/C 缓冲器电路替换钳位和齐纳二极管(Dclamp 和齐纳二极管)？

谢谢！

John

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2438750 points

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尊敬的 John：

如果您执行测试以确认操作是否受到影响、我认为我在这里看不到任何问题、但我们在参考设计之外使用该器件的经验有限、因此我不一定会推荐这款器件。但是、出于 EMI 原因通常可以根据需要添加滤波器/钳位。如果您有进一步的疑虑、请通过电子邮件联系我。

此致、

泰勒

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