[参考译文] BQ76930：BQ76930充电查询

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

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器件型号：BQ76930
主题中讨论的其他器件： TIDA-01093

你(们)好

采用两块 BQ76930的客户设计通过级联来监控20节电池。

MCU 读取的两个 BQ76930s 的 CHG 和 DSG 状态、然后 MUC 控制逻辑芯片(输出12V)以控制 CHG 和 DSG MOS。

在充电测试过程中、发现当 CHG MOS 关断、DSG MOS 导通时、充电器就能充电、而 CHG MOS 加热了、此时 Vgs=3.65V、Vds=3.6V；断开充电器后、Vgs 和 Vds 没有电压。

请提供有关此问题的一些建议。

谢谢

星号

3 年多前

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 1138100 points

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尊敬的 Star：

对于 FET 电路、该设计似乎遵循 TIDA-01093的基本结构。问题似乎在于、它们应该保留 TIDA-01093的 Q31、以便在应用充电器时、充电栅极电压可以随 PACK 下降。正如现在一样、当充电器施加的电压大于电池电压且 CHG_OUT 为低电平时、来自驱动 CHG_OUT 的12V 逻辑芯片的信号不能明显低于 GND_B、可能低于-0.2V。 D42和 D44都将正向偏置、每个偏置电压可能为0.5V、从而使 FET 的栅极电压大约为-0.6V 至-1V。通过测量、FET 的 VGSTH 介于3V 至5V 之间、大约为3.65V、因此、FET 将充当源极跟随器、电池和充电器之间的差异将跨越(Q42)和充电 FET (Q43) VGS 的体二极管下降。

在12V 逻辑芯片输出后、在 BQ76930数据表的图8或 TIDA-01093的 Q31中包含 P 沟道、例如 Q3。当12V 逻辑芯片输出为低电平时、这将使 Q42栅极电压下降、Q42等保持关断状态。

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