主题中讨论的其他器件: TPSI3050-Q1
大家好、
美好的一天! 我代表我们的客户发布此查询
是否可以使用更高电压的 MOSFET 来处理不是500V 直流电、而是800V 直流电压、以及您建议使用哪些 MOSFET。
提前感谢您。
此致、
Jonathan
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大家好、
美好的一天! 我代表我们的客户发布此查询
是否可以使用更高电压的 MOSFET 来处理不是500V 直流电、而是800V 直流电压、以及您建议使用哪些 MOSFET。
提前感谢您。
此致、
Jonathan
您好、Jonathan、
非常感谢您的参与。
半导体 FET 可以维持这些电压而不会出现任何问题、但是、为这些高电压选择电源开关在很大程度上取决于应用。 例如、如所附图像所示、半导体电源开关技术针对不同的频率与功率能力领域。 MOSFET 的目标电压范围通常高达~900V、但您可以找到额定电压更高的 MOSFET。 通常、这些额定电压高于800V 的 MOSFET 代价高昂。 另一种选择是使用 SiC 等宽带隙半导体。 通常、SiC FET 的额定值高达1.2kV、您还可以在这些区域找到 IGBT。 此外、还提供 GaN 器件、它们的开关速度非常高。
总之、在选择功率 FET 时、必须特别注意器件的功能和额定值。 其中一些额定值需要提及、但不是唯一的额定值:DS 电压额定值、电流、热性能、开关速度。
我希望这有助于澄清正确选择功率 FET 的路径。
请告诉我们这是否能解答您的问题。
最好
弗朗西斯科·劳祖里克
您好、 Francisco、
非常感谢您的回答。 这是客户的反馈。
其目的是使800V DC 10A PV (太阳能开关)最大值测量值= 670VDC @ 5A、但当天气较冷时、太阳能电池板可达到±700V DC。
如果我使用额定功率更高的 MOSFET、则电路 TPSI3050-Q1和 TPSI3052-Q1是否正常工作?
请提供合适 MOSFET 的数据表?
此致、
Jonathan
您好、Jonathan、
非常感谢您的反馈。
作为建议、我还会查看高温条件、并确保 FET 的热特性符合数据表中的预期。 结温非常重要、传导电流与 RDSon 和热阻一起决定结温。
对于 TPSI3050-Q1 (10V 栅极驱动器)和 TPSI3052-Q1 (15V 栅极驱动器)、观察从驱动器到 FET 的重要行为是栅极电荷或栅极电容。 通常、我看到这些功率 FET 的栅极电荷高达~100nC、这两个器件都可以轻松驱动此负载。 但是、根据您使用的 FET 技术、您所需的栅极驱动电压可能会有所不同。 通常、SiC 和 IGBT 需要~15V 的高栅极驱动电压才能完全增强、而 MOSFET 在10V 栅极驱动下性能良好。 要确定所需的栅极驱动电压、请使用下图所示的 FET 的输出特性曲线。 您需要确保 FET 完全增强、使其处于三极管(电压控制电阻)区域、从而实现较小的 VDS 压降。 此外、以下文档进一步介绍了这些概念。 https://www.ti.com/lit/SLVAFB7。
请告诉我们这是否能解答您的问题。
此致、
弗朗西斯科·劳祖里克