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器件型号：TPSI3052-Q1 主题中讨论的其他器件： TPSI3050-Q1
大家好、
美好的一天！ 我代表我们的客户发布此查询
是否可以使用更高电压的 MOSFET 来处理不是500V 直流电、而是800V 直流电压、以及您建议使用哪些 MOSFET。
提前感谢您。
此致、
Jonathan
大家好、
美好的一天！ 我代表我们的客户发布此查询
是否可以使用更高电压的 MOSFET 来处理不是500V 直流电、而是800V 直流电压、以及您建议使用哪些 MOSFET。
提前感谢您。
此致、
Jonathan
您好、Jonathan、
非常感谢您的参与。
半导体 FET 可以维持这些电压而不会出现任何问题、但是、为这些高电压选择电源开关在很大程度上取决于应用。 例如、如所附图像所示、半导体电源开关技术针对不同的频率与功率能力领域。 MOSFET 的目标电压范围通常高达~900V、但您可以找到额定电压更高的 MOSFET。 通常、这些额定电压高于800V 的 MOSFET 代价高昂。 另一种选择是使用 SiC 等宽带隙半导体。 通常、SiC FET 的额定值高达1.2kV、您还可以在这些区域找到 IGBT。 此外、还提供 GaN 器件、它们的开关速度非常高。
总之、在选择功率 FET 时、必须特别注意器件的功能和额定值。 其中一些额定值需要提及、但不是唯一的额定值：DS 电压额定值、电流、热性能、开关速度。
我希望这有助于澄清正确选择功率 FET 的路径。
请告诉我们这是否能解答您的问题。
最好
弗朗西斯科·劳祖里克
您好、Jonathan、
非常感谢您的反馈。
作为建议、我还会查看高温条件、并确保 FET 的热特性符合数据表中的预期。 结温非常重要、传导电流与 RDSon 和热阻一起决定结温。
对于 TPSI3050-Q1 (10V 栅极驱动器)和 TPSI3052-Q1 (15V 栅极驱动器)、观察从驱动器到 FET 的重要行为是栅极电荷或栅极电容。 通常、我看到这些功率 FET 的栅极电荷高达~100nC、这两个器件都可以轻松驱动此负载。 但是、根据您使用的 FET 技术、您所需的栅极驱动电压可能会有所不同。 通常、SiC 和 IGBT 需要~15V 的高栅极驱动电压才能完全增强、而 MOSFET 在10V 栅极驱动下性能良好。 要确定所需的栅极驱动电压、请使用下图所示的 FET 的输出特性曲线。 您需要确保 FET 完全增强、使其处于三极管(电压控制电阻)区域、从而实现较小的 VDS 压降。 此外、以下文档进一步介绍了这些概念。 https://www.ti.com/lit/SLVAFB7。
请告诉我们这是否能解答您的问题。
此致、
弗朗西斯科·劳祖里克