[FAQ] [参考译文] [常见问题解答] TPS53211：我应该与 TPS53211控制器一起使用的 MOSFET 是否存在限制？

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1136465/faq-tps53211-are-there-limitations-to-the-mosfets-that-i-should-use-with-the-tps53211-controller

器件型号：TPS53211

TPS53211是 一款适用于同步降压应用的单相电压模式控制 PWM 控制器。  在负载电流低于临界导通电流(INVgducor 峰值纹波电流/ 2)时、TPS53211开关可作为自适应恒定导通时间控制拓扑运行、以降低开关频率并提高效率、但应如何调整 MOSFET 的大小以及应使用的 MOSFET 是否存在限制？

与任何转换器设计一样、应选择 MOSFET 来优化尺寸、成本和性能。  理想情况下、选择 MOSFET 来平衡开关损耗和导通损耗、条件是应用最关心的负载电流、或者最多平衡最大负载电流。

具有较低 Rdson 和较高栅极电荷 的较大 MOSFET 将具有较高的开关损耗、从而降低效率。

具有较高 Rdson 和较低栅极电荷的较小 MOSFET 将具有较高的导通损耗、也会降低效率。

对于大多数应用而言、选择 MOSFET 以进行此优化应该就足够了。

但是、TI 建议 VCCDR 稳压器上的负载电流(高侧和低侧 FET 的总栅极电容乘以开关频率)应小于50mA、以避免将 VCCDR 稳压器驱动到电流限制。

此外、TI 建议、如果低侧 FET 的总栅极电荷(Qg)在6.5V Vgs 时不应超过50nC。  如果必须使用具有更大栅极电荷的低侧 FET、TI 建议设计人员使用1.0Ω Ω 串联电阻器限制 LGATE 放电电流。

如果并联使用多个 MOSFET、则应为每个 MOSFET 使用单独的栅极驱动电阻器、并且所有栅极电阻器的并联组合应等于或大于1.0Ω Ω

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