主题中讨论的其他器件: BQSTUDIO、 EV2400
我们的 Bq25713设计在高于特定电压时会中断 I2C 通信。 通常约为12V。 VINDPM 的输入电压为8V。 哪个寄存器值负责设置此阈值?
在升高电压之前、禁用 HiZ、WDT 也是如此。 此测试未连接电池。 电池充电电流设置为0mA。 CEL_BATPRSZ (6V VDDA)上具有3.3V 电压的3s 配置。
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我们的 Bq25713设计在高于特定电压时会中断 I2C 通信。 通常约为12V。 VINDPM 的输入电压为8V。 哪个寄存器值负责设置此阈值?
在升高电压之前、禁用 HiZ、WDT 也是如此。 此测试未连接电池。 电池充电电流设置为0mA。 CEL_BATPRSZ (6V VDDA)上具有3.3V 电压的3s 配置。
您好、Charles、
为了进行确认、我的理解是、如果输入电压高于12V、您无法与器件通信、对吧? 如果您想更改 InputVoltage 寄存器以在加电后更改 VINDPM、请执行此操作。
以下是我建议首先查看的内容:
-输入电流钳位足够并且输入未被钳位(500mA 应该足够)
-如果您的输入低于12V 阈值、则 CHRG_OK 变为高电平
- ChargerStatus()寄存器中无故障
-任何 FET 或电感器上都没有短路
-监视 REGN,查看在失去通信时是否保持在6V
您看到特定输入阈值的原因可能是转换器在该阈值时从升压模式切换到降压模式。 您还可以尝试为2S 或4S 配置充电器、以查看阈值是否移动。
谢谢、
Khalid
我们注意到、上电时的 VIDPM 扫描会为输入电压寄存器设置一个电压、如果 VBUS 较低、该电压寄存器将关闭系统。 在本示例中、我们从10V 的 VBUS 开始、因此输入电压寄存器设置为比该值低1.4V、然后我们从那里增加电压。 在11.9V VBUS 下、BQStudio 会将地址写入发送到713、但不会返回任何内容。 低于该非常精确的阈值 ACK 是可以的、我们可以读取所有电阻器。 总线扫描在写入和成功读取寄存器时显示正确的数据。
将 Vsysmin 设置为默认9.2或将 Vsysmin 设置为更高(11.008V)不会更改该阈值、因此降压/升压理论不会保持该阈值。 在1A 时加载输出不会改变阈值。
随附的是寄存器的打印输出。 在11.9V VBUS 下、我们可以进行连续的手动读取和一些工作、有些工作失败、因此这必须就在边缘。 我看不到与该阈值相关的变量。 我们不使用 OTG 或 PSYS/Comparator。
25798是我们的首选、但由于可用性、我们已被推至控制器。
我将连接一个电池、看看它的行为是否相同。 我们将在 I2C 上使用4.7K 总线上拉电阻器以及 Bqstudio。 这些应该改变吗?
我无法附加 pdf、因此将单独发送。
如果这种情况从18V 等更高的 VIN 开始、则会在该上电电压周围设置高和低 DPM、但情况并非如此。 从18V 输入电压开始、仍然没有与 BQStudio/EV2400进行 I2C 通信。 我们的实施方案与 EVM 非常接近、但以下情况除外:
CELL_BATPRESZ=3.3V、带6.03V VDDA。
CMPOUT NC
PROCHOT NC
EN_OTG 接地
VBUS 滤波器1Ω μ A/470n
IADPT... 是否应终止此操作?
您好、Charles、
I2C 引脚上拉至什么电压? 我们建议使用10K 上拉电阻器。
对于 IADT、电感检测通过该引脚完成、因此您需要在该引脚上将适当的电阻器接地。
其他引脚应该正常。 VINDPM 只能是一个下限、增加电压不应导致这个问题。
根据您的描述"在11.9V VBUS 下、我们可以连续执行手动读取和一些操作、有些操作失败、因此这必须在边缘。 我看不到与该阈值相关的变量。 我们不使用 OTG 或 PSYS/Comparator。" 在我看来、似乎存在 I2C 设置问题。
谢谢、
Khalid
我现在要这么做。 我们将检查 EVM 的类似性能。 我们的控制器设计大多基于 EVM。 我确实发现了一个不同之处 、我们为 ILIM_HIZ 顶部分压电阻器提供了38.2K (低220K)、而不是 EVM 382K。 以及 IADT 终端的存在。 以下是检查列表:
本地 I2C 上拉电阻为10K。 拆下 PCB 另一侧的4.7K。
将38.2K 更改为382K
向 PIN8添加端接169K。