主题中讨论的其他器件：LMG1205、 LM5113-Q1、 LM5108
常见问题解答：能否将外部自举二极管与内部二极管并联？
TI 的几个半桥栅极驱动器都包含自举二极管，这是为高侧通道生成高侧偏置所必需的。 这些驱动器的示例包括 UCC2728x、UCC2720x、UCC2721x 和 LM5108以及我们的一些用于 GaN FET 的半桥驱动器、例如 LMG1205和 LM5113-Q1。
TI 驱动器中的集成自举二极管能够处理大多数典型应用中观察到的峰值电流。 但是，在开关频率非常高(例如超过1MHz)且使用了具有大电容的自举电容器的应用中，二极管的正向峰值电流和反向峰值电流可能非常高。 在此类应用中、可能需要使用与内部二极管并联的外部快速恢复或肖特基二极管、或至少在电路板上准备此类二极管、以降低与二极管相关的栅极驱动器中的功率损耗。
下图显示了如何连接外部二极管(DBOOT)的示例。
选择正向压降较低的快速恢复或肖特基二极管、以降低自举电容器充电期间的功率损耗。 另一个关键考虑因素是二极管的反向阻断额定电压，该电压必须高于最大开关节点电压，包括开关期间发生的瞬变。
还建议添加一个与 DBOOT 串联的限流电阻器(RBOOT)、以减少浪涌电流并限制每个开关周期内 VHB-HS 的压摆率。 选择的电阻器必须能够承受自举电容器的第一个充电序列期间的高功率耗散。 按照驱动器数据表中的建议选择适当的电阻值。
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