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[参考译文] LM5088：LM5088 (1pC)和 LM25085A (3个)的设计检查

admin
Guru**** 2508065 points
Other Parts Discussed in Thread: LM25085A, LM25085, LM5088

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1040165/lm5088-design-check-for-lm5088-1-pc-and-lm25085a-3-pcs

器件型号：LM5088
主题中讨论的其他器件：LM25085A、 LM25085、

您好！

我使用 WEBENCH 工具来帮助我设计4个电源。 它们的主要特性如下：

Vout1：+15V/4A (输入+24V)；

Vout2：-15V/4A (输入+24V)；

Vout3：+6V/6A (输入+24V)；

Vout4：+2V/4A (输入+6V)。

我为3个正电源选择了 LM25085A 项、为负电源选择了 LM5088MH-2项。

由於我对 WEBENCH 的原有计划作了一些修改，我想请你分析，使我们可以保持宁静。 我提出这一要求是因为我们在进行这一修订时必须准确，因为如果另一个修订版本不能正常工作，我们没有时间去使用它。 我认为正电源没有太多理由不好，但我主要想检查负电源。

为了便于理解、我在+6V 电源处插入了二极管 D201、以便超级电容器 C215中存储的能量在断电时不会流向其他电源、该能量必须仅用于为+6V 电路供电。

提前感谢您的帮助和关注。

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    TI__Guru**** 2508065 points
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    您好、Jorge、

    请为这些 LM25085设计完成并发送快速入门计算器文件、尤其是在 FB 处生成纹波(应为三角纹波)。 检查输出电容器的 ESR、如果它们是陶瓷电容器、则更改为3类注入网络。

    LM5088 IBB 设计看起来不错。 您可以根据波特图测量调整补偿。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2508065 points
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    您好、Tim、

    感谢您的快速回复。

    随附了 LM25085A 设计的快速入门计算器文件。 以下是我在比较 快速入门计算器的值和原始设计时发现的差异。

    U102 (+15V)

    L1 =从15uH 到22uH
    Cin = 10uF 至22uF
    纹波配置=从 type2到 Type3
    总栅极电荷=?

    U201 (+6V)

    L1 =从4.7uH 到8.2uH
    纹波配置=从 type2到 Type3
    总栅极电荷=?

    U202 (+2V)

    L1 =从2.2uH 到3.3uH
    Cin = 10uF 至22uF
    纹波配置=从 type2到 Type3
    总栅极电荷=?

    我提到 了"？" 因为 当我在 MOSFET 总栅极电荷空白处填充135nC 时、快速入门计算器会显示"VCC 电流限制"。 但我使用的 MOSFET 是 WEBENCH 建议我使用的 MOSFET ... 您认为这真的会是个问题吗？ 如果是、您能否为这三种情况(+15V、+6V 和+2V)推荐合适的 MOSFET？ 我是说、适合这三种应用的 MOSFET？

    关于 输出电容器的 ESR、我没有找到该信息、但在该频率范围内、我考虑了5m Ω。 要使用的 PN 是 C3216X5R1V226M160AC 或兼容的 PN。

    所有电感器都大于 WEBENCH 建议的值、您认为是否更好地更改它们？

    最后、关于 IBB 设计、您认为它是否正常？

    我问 Jonathan Navor 不要在 这里发布机密文件、他建议我问您是否可以在需要时直接将这些文件发送给您、这是可行的吗？

    非常感谢您的关注、Tim。

    此致、

    豪尔赫

    e2e.ti.com/.../LM25085A_5F00_Quick_5F00_Start-_2D00_-15V.xlse2e.ti.com/.../LM25085A_5F00_Quick_5F00_Start-_2D00_-6V.xlse2e.ti.com/.../LM25085A_5F00_Quick_5F00_Start-_2D00_-2V.xls

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    TI__Guru**** 2508065 points
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    您好、Jorge、

    FET 的 Qg 应在 LM25085的标称 VCC 电压下获取。 135nC 似乎很高。 与驱动 FET 相关的 IC 电流消耗是 IVCC = Qg*FSW，它应该小于 VCC 电流限制。 如果您需要更多支持、请发送 FET 器件型号。

    22uF/35V 电容还可以、但 X7R 优于 X5R (最高125°C、最高85°C)。 额定电压很高--相反，15V 输出为22uF/25V，2V 和6V 输出为47uF/10V。 2-4m Ω 是对 ESR 的良好估计(实际上无关紧要)。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2508065 points
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    您好、Tim、

    如果我考虑135nC、VCC 电流限制会过载。 使用的 FET 是 SI7149ADP、 如 LM25085A_Quick_Start - 15V.xls 文件中所述。 请您向我确认我应该使用哪种 Qg？ 如果我们确实需要考虑135nC、您能否为此应用推荐兼容的 FET？

    了解一下输出电容器、谢谢。

    在前一个答复中、我询问了 WEBENCH 和 快速入门计算器建议的电感器之间的差异。 我可以保留 WEBENCH 建议的电感器、还是需要更改它们？

    此外、我是否可以认为 LM5088 设计正常？

    再次感谢您、Tim。

    此致、

    豪尔赫

    e2e.ti.com/.../SI7149ADP.pdf

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    TI__Guru**** 2508065 points
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    豪尔赫、

    从数据表中可以看出、VCC = 7.7V 时该 FET 的 Qg 为~70nC

    改为考虑 SiR167DP (5m Ω、55nC @ 7.7V)或 Si7143DP (10m Ω、35nC @ 7.7V)。

    在快速启动方面、请根据每个电路的满载额定值选择电感、以提供30-40%的纹波电流。 此外、输入考虑所施加电压的陶瓷降额值。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2508065 points
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    您好、Tim、

    感谢你的答复，我很抱歉我迟到了。

    我将所有4个电源的开关频率更改为300kHz、并且我基于 LM25085A_Quick_Start 电子表格针对 LM25085A 控制器。 实际上、我应该从一开始就这么做。

    我考虑了20%的输出电流来确定电感器纹波电流。

    您能否再次评估4个电源(1x LM5088和3x LM25085A)、如果您同意、请给我一个"确定"、以便我可以开始布局？

    随附原理图和电子表格。

    再次感谢您的关注。

    此致、

    豪尔赫

    e2e.ti.com/.../7041.LM25085A_5F00_Quick_5F00_Start-_2D00_-15V.xlse2e.ti.com/.../3652.LM25085A_5F00_Quick_5F00_Start-_2D00_-6V.xlse2e.ti.com/.../6318.LM25085A_5F00_Quick_5F00_Start-_2D00_-2V.xls

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    谢谢、Jorge。 我将很快进行介绍。

    如果您希望使用更小的电感器、则可接受30-40%的纹波电流、并且通常可提供更好的铜损耗/磁芯损耗平衡。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    我想我将保持电感器基于输出电流的20%... 我注意到  LM25085A_Quick_Start 电子表格使用此参数、因此我决定将其用作所有4个电源的默认值。

    当您有有关 Analises 的新闻时、请告诉我。

    谢谢 Tim。

    此致、

    豪尔赫

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    谢谢、Jorge。 我明天会查看并返回给您。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    您是否能够检查设计？

    此致、

    豪尔赫

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    你好，Jorge，很抱歉我在过去的几天得到了支持，我今晚将对它进行回顾，然后返回给你。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    很抱歉再次询问。 但实际上我已经完成了布局、我只想让您对原理图"确定"。 我真的认为现在还可以、只是为了保修...

    谢谢、Tim。

    此致、

    豪尔赫

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    TI__Guru**** 2508065 points
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    您好、Jorge、

    对于 LM25085原理图、有一个与其中一个设计的 FET 串联的二极管-也许您可以确认为什么需要这种二极管。 此外、其中一个输出电容器具有一个12欧姆的串联电阻器、这在安装3类纹波注入时是不需要的。

    对于 LM5088 IBB 设计、FET 附近有一个从 VIN 到-VOUT 的电容器、因此可提供所有高频电流并降低电源环路寄生电感。 可能会使该值高于现有的1uF。 此外、150k/390pF 在2.7kHz 时置零、这很好、但150k 意味着高增益、因此请在电路启动并运行时检查环路交叉。

    此致、

    Tim

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    您好、Tim、

    感谢您的评论。

    +6V 电源用于在断电后的4或5秒内存储和提供能量。 二极管 D201被插入到那里、这样电流就不会从电容器 C220 (1F/9V)流向+24V 电路。 电阻器 R209 (12 Ω)用于缓慢地为电容器充电、避免+6V 电源中的浪涌电流。

    关于  LM5088 IBB 设计、我将电容器 C107 (1uF)更改为22uF。 我将使用 150kOhm/390pF 组件检查电路的行为。

    我认为现在一切 都很清楚。 如果您对+6V 电源中使用的二极管 D201有一些顾虑、请告诉我。 如果可以、请也告诉我、然后我将完成 TT。

    非常感谢您到目前为止提供的所有支持、Tim。

    此致、

    豪尔赫。

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    TI__Guru**** 2508065 points
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    听起来不错、Jorge。 二极管可能位于实际输入端(不在 FET 和分流器之间)。

    此致、

    Tim