大家好、
我想使用支持24V 和70A 的 MOSFET 构建非对称半桥逆变器。 我找到了这个 MOSFET: https://www.ti.com/product/CSD18510Q5B 、它似乎适合我的应用。 我关于 MOSFET 散热的问题。 知道最终电路的重量必须非常轻、如何选择或设计散热器。
感谢你的帮助
此致
雅库布。
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大家好、
我想使用支持24V 和70A 的 MOSFET 构建非对称半桥逆变器。 我找到了这个 MOSFET: https://www.ti.com/product/CSD18510Q5B 、它似乎适合我的应用。 我关于 MOSFET 散热的问题。 知道最终电路的重量必须非常轻、如何选择或设计散热器。
感谢你的帮助
此致
雅库布。
您好、Yakoub、
感谢您关注 TI FET。 散热这种5x6mm SON 封装的主要方法是通过封装底部的大型散热焊盘(漏极)进入 PCB。 可以将散热器连接到封装顶部、但热阻抗 Rθjc Ω(顶部)约为8°C/W、而 Rθjc Ω(底部)为0.8°C/W。 另一种替代方法是使用散热过孔将散热器连接到 FET 的 PCB 另一侧、以提供从 FET 封装到散热器的路径。 TI 提供了 FET 选择工具来估算 FET 中的功率损耗、这些工具可在 MOSFET 支持与培训页面上找到、链接如下。 其中包括三相 BLDC 电机驱动器和同步降压工具。 本页还提供了博客和技术文章、介绍了 TI 如何在数据表中测试和规范热阻抗以及如何按封装估算最大功率耗散。 如果您有任何其他问题、请查看并告知我。
此致、
John Wallace
TI FET 应用
https://www.ti.com/power-management/mosfets/support-training.html
Pawan、
John 下周外出回来。 因此、在他缺席的情况下、我将尝试提供帮助。
如果您对热性能和设计有疑问、 您是否考虑通过 TI.com 来尝试查找可能接近您的应用要求的参考设计?
此处是可能感兴趣的高电流电机逆变器示例。
https://www.ti.com/tool/TIDA-00774?keyMatch=&tisearch=search-everything&usecase=refdesign
尽管参考设计的电压高达21V、但它确实使用40V MOSFET、通常可找到24V 的峰值输入电压。 您可以查看文献并将布局作为指南。
此致
Chris