请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：LM7480-Q1 主题中讨论的其他器件：LM7480、
我正在使用 EVM 并监控输入电压、输出电压和栅极。 测试时的负载为2A
以下是我在 Vout 上创建鞭状时的两个示例。 所有信号每分段为5V、每分段时间为10ms。
信号为：
- 黄色：输出电压
- 蓝色：VIN
- 紫色：Dgate
24V 上的电压突降是由通过连接至 Vout 并由瞬时开关控制的二极管馈送的额外电源引起的。 我的次级电源导致的电压下降 到大约+27V 大约20ms。
MOSFET 的栅极会立即关闭、并在电极消失后升高。 这很好；Vin 电源稍微上升、但不足以杀死连接到 Vin 的主电源。
但下面是另一个示例：
在这种情况下、Dgate 立即变为低电平、但 Dgate 被硬接通。 然后、LM7480需要整整3ms 的时间才能意识到它应该在做一些事情并将栅极驱动为关闭状态。
幸运的是、虽然主电源(在 Vin)的电压较大、但它不足以杀死它。
您能否建议如何修改电路以避免关断控制 MOSFET (Q2)时出现这种长延迟？
