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[参考译文] TLV757P:热性能规格说明

Guru**** 2387830 points
Other Parts Discussed in Thread: TLV757P
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1037537/tlv757p-clarification-of-thermal-specifications

器件型号:TLV757P

大家好、团队、  

数据表第6.4节介绍了 TLV757P 的热规格

对于 SOT23-5封装、RθJB Ω 结至电路板热阻= 64.4°C/W
对于 WSON 封装、RθJB Ω 结至电路板热阻= 64.3°C/W
...=>SOT23-5和 WSON 的 RθJB 具有相同的值(在0.1内);
...=>表示两种封装在向 PCB 传导热量时是相等的;
...=>表示两个封装的结温 shoud 相同。

对于 SOT23-5封装、RθJA Ω 结至环境热阻= 231.1°C/W;
对于 WSON 封装、RθJA Ω 结至环境热阻= 100.2°C/W;
...=>SOT23-5的 RθJA 大约为2.31 x WSON;
...=>表示 SOT23-5的结温在相同功率耗散下将高于 WSON;

您能否解释两种封装的 RθJB 比为何相同、但 RθJA 比为2.31?

此致、

Renan

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    Renan、您好!

    如果您使用  RθJB 来测量结温、则必须测量 DUT 附近电路板的温度。 DUT 附近的电路板温度在封装之间不会相同、因为热量会以不同的方式影响 DUT。  μ RθJB 基本上是相同的、这意味着每个封装的结温将比测量的电路板温度高大约相同的量、但同样、电路板温度也会不同、因此结温也会不同。  您会看到 RθJA Δ I 有很大的差异 、因为环境比电路板温度更恒定、因为当您开始在器件中耗散能量时、环境不会发生变化。  

    这有道理吗?

    此致、

    Nick

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    您好、Nick、

    ~还不清楚封装类型的 RθJB 比率是~ 1:1。但是 RθJA 可以是2:1吗?

    此外、他们还添加了两种封装类型的 PSI_JB 比率为~ 1:1 (64.4:64.3);
    它们假设 PSI_JB 值已根据相同的 PCB 和环境进行仿真/测量?
    PSI_JB 比率应更接近应用级别,热量从封装流入 PCB 和空气?
    如何解释 PSI_JB 比率的比率是相同的...但 RθJA 可以是~ 2:1?

    此致、

    Renan

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    Renan、您好!

    正如我在前面的注释中所描述的那样、差异是使用 RθJB  使用电路板温度作为基准来计算结温、这不是恒定的。 RθJB 和 PSI_JB  封装之间的温度大致相同、这表明结温将  电路板温度高大约相同。 电路板温度取决于环境温度以及耗散和分散到电路板中的功率量、也就是说、由于封装的热量不同、电路板的温度将有所不同。  

    相比 之下、μ RθJA 使用环境温度作为基准、该基准更加恒定。 SOT-23封装在 RθJA 器件散热方面的效率不如 WSON 封装、因此其热性能比 WSON 更差、后者在 μ m 中得到了反映。

    所有热指标均通过 JEDEC 标准化 PCB 布局进行仿真、是的、表征参数更接近实际应用、并且被认为与电路板布局的相关性要小得多。  

    此致、

    Nick