[参考译文] BQ20Z655-R1：BQ20Z655R1-software config and learning cycle

Anandan、您好！

1.在您尝试写入命令时是否有任何警告？ 您是否能够读取命令？ 此外、您是否使用 bqEVSW 而不是 BQStudio？ 此外、请确保输入了有效值、并且测量仪表未密封。

请按照 本 文档了解 BQ20z655学习周期。 VOK 和 R_DIS 不是命令，它们是从 OperationStatus()读取的标志。 对于复位、您可以发送命令0x0041。

最棒的

Jessica

你(们) Jessica

写入期间未显示警告。 我们能够读取命令、并且我们使用的是 BQEVSW。

当我们在“参数”中输入值时，在“数据闪存”中单击“全部写入”选项时，这些值保持不变，不会发生更改。

我们是否只能在 FAS (完全访问模式)中写入参数值？此外，我们还读取了 FAS 密钥并尝试启用完全访问选项，但我们无法启用 FAS 标志，

请建议一种方法来完成此操作。

您建议的文档是正确的、因为要执行学习周期、 已在 IC 页面中附加了另一个文档。

Anandan、您好！

监测计必须处于非密封或 FAS 模式才能写入数据闪存。 按照以下步骤操作、首先解封。 测量仪表处于非密封模式后、应发送 FAS 命令

您好、Shrish  

我们先解封了，然后尝试了 FAS。

首先，我们阅读了 unseal 密钥，然后 将该命令发送给 Manufacturer Access。

然后我们已阅读 FAS 密钥并将其发送给制造商。

但它保持不变、不能将值写入数据闪存

Anandan、您好！

您能否在 bqEVSW 中发布您发送的命令序列以及哪个窗口的详细信息？

你(们)好

我们使用的是 BQ20Z655-R1。 V0_03_BLD0004  

在读取块命令中 、我们给出了 unseal 密钥命令 0x60、然后在写入命令中、我们给出了制造商访问命令 0x00、我们给出了我们以小印度风格读取的命令

然后、在读取块中、我们给出了完全访问命令、 并给出了制造商访问命令 0x00、我们给出了我们在小印度风格下所读的命令

您好、Shirish、

        1) 1)由于 BQ20Z655中有4种安全模式(完全访问、密封、非密封和引导 ROM)、它将在哪些位/寄存器中显示模式指示？ (例如、操作状态中的 FAS 位和 SS 位显示完全访问安全模式和密封安全模式。) 非密封模式怎么样？ 我如何才能得出设备处于何种安全模式？

        2) 2)我们可以在设备中读写完全访问密钥(如果是这种情况)，是我的设备处于完全访问模式还是任何其他模式？但是，每当我们在 Dataflash 中写入任何参数的值时，即使我们更改了，也不会更改。 这意味着什么？ 我们在新 PCB 中遵循的步骤如下所示。(FYR)

        3)首先、使用完全访问密钥(0x61)读取数据(我们读取的数据为 FFFF FFFF)、并将数据作为两个字写入制造商访问(0x00)。 即使我们在向制造商写入新 PCB 中的任何内容之前尝试更改 Dataflash 中的参数、因为 TI 建议 IC 在发货期间将处于完全访问模式。

此致、

Anandan

Anandan、您好！

1)

FAS—0 =完全访问安全模式 SS—1 =密封安全模式

SS=0表示未密封

BootROM 不是正常的操作模式

2)和3)

这些步骤仅在器件处于完全访问模式时有效。 您能否发布 bqEVSW FAS 和 SS 位的屏幕截图？

你好，Shirish

随函附上 FAS 和 SS 位的 BQSW 窗口的屏幕截图。

我们尝试写入命令并尝试写入命令、但该值不会更改。

请帮助我编写有关价值领域的文件并执行学习周期。  

谢谢。 它处于 FAS 模式、因此您应该能够写入数据闪存值。 您要更改哪个参数？

您能否验证电池电压是否高于"闪存更新正常电压"？

大家好、 我们正在尝试写入数据闪存、例如 Cov CUV、温度位、但无法完成

电池电压也高于闪存电压

你好，Shirish

我正在使用 LG 电池，化学更新在化学 ID 中不可用，我如何为电池执行化学 ID 配置

我会尝试将电池充电至>50%，然后尝试写入数据闪存