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[参考译文] LM5141：如何选择栅极电阻

admin
Guru**** 2386610 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1031639/lm5141-how-to-choose-the-gate-resisters

器件型号：LM5141

你(们)好  

如所述、  如何在 MOSFET 和 HOL/HOL/LO/LOL 之间选择栅极电阻器、它们的用途是什么？   降低 EMI？

如果我 为每个 MOSFET 填充10欧姆电阻、MOSFET 是否会因耗散而损坏？

有关如何选择它们的值并在 EMI 和热性能之间取得平衡的任何文档。

此致

Yantao

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Yantao 您好、

    高侧 FET 控制降压转换器中的开关、因此添加栅极电阻器(尤其是导通、HOH)可降低电压压摆幅并减少过冲/振铃。 电阻值取决于 FET 参数、但2.2-4.7欧姆是一个很好的起点、如果需要、可增加到10欧姆、而不会显著降低效率。

    低侧 FET 栅极电阻器更多地用于死区时间调节、但对于大多数应用、我会将其设置为0欧姆。

    查看应用手册 SNVA803以了解功率级布局。 最好正确地设计布局并降低源极 EMI、而不是稍后降低开关速度。 有关更多详细信息、请参阅此 EMI 电子书： www.ti.com/lit/SLYY208 

    此致、

    Tim