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[参考译文] BQ76952：电荷泵电压在消耗电流时降低

admin
Guru**** 2769425 points

Other Parts Discussed in Thread: BQ76952, BQ76952EVM

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1028379/bq76952-charge-pump-voltage-decreases-when-current-is-drawn

器件型号：BQ76952

我有一个用于锂离子12节电池的具有 bq76952的电路板。 我基本上遵循了 bq76952EVM 的设计、并具有单独的充电和放电路径。 3个 FET 并联使用、以适应更大的电流。 每个栅极都通过一个33欧姆电阻器进行连接。  

我认为相关的设置 包括：

VCell 模式：0x87ff

FET 选项：0x0C

CHG 泵控制：0x01

此时 电池电压约为3.65V、总电池组电压为44V。 发出 FET_ENABLE 命令时、LD 引脚电压也会显示44V、但如果汲取电流(1A)或发出 SLEEP_DISABLE 命令、LD 引脚电压会降至约38V。 我注意到 DSG 引脚电压和 CP1引脚电压从54V 变为42V、我无法确定原因。

我使用增加的电容(EVM 中建议的0.47uF 更改为高达3uF)进行了测试、但在 CP1或 LD 引脚上提供了相同的电压。 无安全性 和 PF 问题。

如上所述、FET 为 IPT020N10N5ATMA1 (Infenion)乘以3、并且在 FET 的源极连接了一个理想的 idode 电路。

请告诉我问题的可能原因。 我是否错过了一些设置？

或者器件是否可能损坏？ (起初 、我内置 了一个电路 、用于防止充电器反向连接时的电流消耗、如在 EVM 中、它通过 DSG 引脚产生电流(0.7mA)、导致我已移除的 LD 引脚电压(~ 33V)更低。)

提前感谢您的帮助。

Junkichi

  • 0
    TI__Guru**** 2769425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Junkichi、

    我假设您可能已经熟悉了该 器件的并联 FET 文档(www.ti.com/.../slua952.pdf)和多 FET 文档(www.ti.com/.../sluaa09.pdf)，但希望为您提供链接，以防您未看到这些链接。  

    您的寄存器设置看起来正确。 FET 的栅极电容值与多个 FET 文档中使用的 FET 的值类似、因此看起来很合理。 如果器件之前曾遭受某种损坏、则更换该器件可能会很好。 我看不到电荷泵电压会像现在一样关断的明显原因。

    如果更换器件无法解决问题、您是否能够共享原理图？

    此致、

    Matt

  • 0
    TI__Guru**** 2769425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Matt、

    感谢您的回答。

    今天、我使用了另一个全新的电路板、再次遇到了问题、我确信这不是特定器件的问题。 正如您所建议的、我附上了原理图和数据存储器内容。

    在 Schematic FET.pdf 中，我特意删除了 Q10 (在预放电电路中)和 Q12 (反向电压保护)。

    在 Schematic AFE.pdf 中、您将看到使用直流/直流转换器为稳压器供电、使用 LD 引脚唤醒电路。 Q27在 开关电路中(左上角)被拆下。

    我不连接 CPU 部件。 此时、它仅用于与外部世界进行通信。 此外、我主要使用 bq studio 进行开发。 顺便说一下、实际使用的器件是具有 SPI 接口的 bq7695204、因为很难获得具有 I2C 接口的器件。 我最初使用 SPI 通过 SWAP_TO_I2C 命令更改为 I2C、然后在 OTP 中进行了修复、尽管我认为这与问题无关。

    再次感谢您的合作、

    Junkichie2e.ti.com/.../schematic_5F00_AFE.pdfe2e.ti.com/.../schematic_5F00_FET.pdfe2e.ti.com/.../dm20210819.gg.csv

  • 0
    TI__Guru**** 2769425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    感谢您分享原理图和设置。 我会研究这些问题，看看我是否能在明天找到线索并作出回应。

  • 0
    TI__Guru**** 2769425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Junkichi、

    我在原理图中看不到明显的问题。 我也会要求我的同事去看看、并将在星期一发送他的任何评论。

    Matt

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    TI__Guru**** 2769425 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Junkichi、

    根据您的初始说明、无论 CHG 是从睡眠中从电流唤醒还是从 SLEEP_DISABLE 命令唤醒、都可能会使电荷泵过载、从而导致 DSG (和 CP1电压)下降。  放电 FET 将在源极跟随器模式下运行。   

    当 CHG 打开时忽略 IC7、它将需要提供(VCP1 - VZD3)/(R18 + R55 + R96)=(54 - 16)/2.0047M =  19uA、这将是电荷泵上的显著负载并为输出(CP1、DSG 和 CHG)提供一些压降。  然而、IC7的典型 IDD 为0.5mA 或500uA、这将超过电荷泵的能力。  CHG、DSG 和 CP1可能会从该负载下拉至低于 BAT。   我不熟悉 IC7、不知道您是否可以通过不同的电源提供其 VDD、以便 CHG 不会过载。  更常见的情况是、我认为 FET 需要在共漏极配置中使用