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[参考译文] LM5116：输出电压异常

admin
Guru**** 2813475 points

Other Parts Discussed in Thread: LM5146, LM5145, LM5116

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1025778/lm5116-the-output-voltage-is-abnormal

器件型号：LM5116
主题中讨论的其他器件：LM5146、 LM5145、

设计为24V~48V 输入、12V 输出。 但  输出电压异常、只有4V、输出波形也异常。 现在 、电流负载非常小、只有 几百 mA

请帮助检查 问题所在的位置？

输出波形：

2.引脚 VCC：

SW：

 

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    TI__Guru**** 2813475 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kevin：

    对于48V 输入设计、这里的开关频率(~370kHz)相对较高、尤其是在驱动四个具有高栅极电荷的 FET 时。 请注意、VCC 电流限制最小为15mA、典型值为26mA、与每个 FET 的栅极驱动相关的电流为 Igate = Qg*Fsw = 37nC*370kHz = 13.7mA、其中 Qg 是在 VCC = 7.4V 时获取的。

    因此、四个 FET 的总 VCC 电流要求为55mA、因此 VCC 进入电流限制并导致重新启动。 如果需要更多的驱动能力、建议更改为 LM5145或 LM5146控制器。 或者、降低开关频率和/或使用具有较低 Qg 的60V FET。 使用 LM5116或 LM5145快速入门计算器帮助您进行设计。

    另请注意、低侧栅极电阻器应为0欧姆、以避免 SW 电压升高时出现与 CDV/dt 相关的栅极尖峰。

    此致、

    Tim

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    TI__Guru**** 2813475 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你(们)好

    感谢您的支持。 将4个高 Qg NMOS 替换为2个低 Qg NMOS (20nC)后、该问题已得到解决、输出电压为12V。 因此 、我尚未进行任何其他优化。  

    但12V 的上电波形不稳定、 您是否会帮助检查并建议它是否与 VCC 限制、开关频率或其他方面有关？

    1.24V 输入

    2. 48V 输入

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    TI__Guru**** 2813475 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Kevin：

    每个 FET 的 VCC 驱动电流为 Qg*Fsw = 20nC*370kHz = 7.4mA，因此两个 FET 应低于 VCC 电流限制。 在为330uF 输出电容器充电时、检查 OCP 是否接合(可能会增加 SS 时间)、并使用快速启动文件或通过仿真检查补偿。

    此致、

    Tim