[参考译文] TPS2456：电源设计评论

Ashish、您好！

感谢您使用 TPS2456并与 我们联系。 有一个集成 ORing +热插拔解决方案 TPS25947。 它将非常适合您的应用。 请查看 TPS25947并告知我们您的反馈。  

尊敬的 Avishek：

感谢您的回复并推荐  TPS25947。 我们将使用 TPS2456。请提供 有关原理图设计的反馈。

此致、

Ashish

Ashish、您好！

我明天会回来。  

Ashish、您好！

请参阅原理图上的观察结果。

1) 1) CR5和 CR6的用途和器件型号是什么？

2) 2) 始终建议使用 outA/B 处的肖特基二极管来钳制瞬态能量、并在热插拔控制器快速关断期间限制负电压偏移。

3) 3) 电路板应使用单点接地方案。 两个通道的电流返回路径应尽可能相互隔离、并在一个点上连接在一起。 此外、敏感模拟接地(例如 RMONx 和 CTX 的接地连接)应该与电源路径接地分开运行。 有关更多详细信息、请参阅数据表中的"布局注意事项"部分、并尝试整合其中提到的所有建议。

4) 4) R44和 R109可制成 DNP 组件。  

5) 5) 5)我是否知道为何为12V 应用选择100V MOSFET？ 有什么具体原因？

6) 6)请分享最大输出电容值和有关启动期间负载的信息(如果有)、以计算启动期间的 MOSFET SOA 裕度。 这对于了解 PG\是否未用于启用下游负载非常重要。

尊敬的 Avishek：

感谢您的详细回顾。

请在下面找到答案

这些是  用于齐纳保护机制的参考板 TPS2456EVM 器件。

2.您能为其建议合适的器件

已根据数据表布局指南更改接地方案

4.R44和 R109现在为 DNP

5.我们希望减少 BOM。您能建议更 便宜的替代产品吗？

最大值 O/P 电容为44uF、负载为12V 至3.3V 转换器、工作于自动使能模式。

此致、

Ashish

Ashish、您好！  

感谢您的反馈。

1) 1) MBRM140G 可用作肖特基 二极管。 请放置两个肖特基二极管、一个位于通道1的输出端、另一个位于通道2、如 EVM 原理图(D1和 D6)所示。  

2) 2) CSD16403Q5A 可能比 BSC0802LSATMA1便宜。     www.mouser.in 上 CSD16403Q5A 和 BSC0802LSATMA1的1ku 价格分别为0.852美元和1.72美元。 与   BSC0802LSATMA1相比、CSD16403Q5A 附带的 RDSON 要小得多。  

3) 3)我是否知道12V 至3.3V 转换器的额定功率或该转换器的器件型号是多少？  

尊敬的 Avishek：

感谢您的建议。

对于12v 至3v3转换、我们使用 的是 MPM3630GQV-Z

此致、

Ashish