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器件型号：LM5134 主题中讨论的其他器件：LMG1020、
我能否使用 LM5134在27MHz 下以3nC 栅极电荷驱动 MOSFET？ 我最初是在 LMG1025中设计的、但它从供应商的货架中消失了。 我尝试切换到 LMG1020、但这是目前的一个原型项目、装配人员不想处理任何这么小的东西。 这适用于 E 类放大器电路。
谢谢你
Bob、您好！
决定最大频率的主要因素是功率耗散。 在数据表的第10.3节中、耗散的功率可通过此公式得出
PG =(Qg + Qp)* VDD * Fsw
然后、您可以将其乘以第6.4节中的结至环境热阻、以计算器件升温的程度。 我不知道您使用的是什么 VDD、但假设您使用的是 VDD = 5V (因为您之前使用的是 LMG102)、并且您使用相同尺寸的 FET 进行试验、那么您应该预计会消耗810mW 的功率。 根据您使用的封装(SOT-23或 WSON) 、器件应加热86或41度。 这假设驱动器中的所有功率均已耗散、因此这是一个最坏情况、保守的估算值。 实际上、其中一些功率在栅极电阻器中的驱动器外部耗散。 在您的情况下、我建议使用以下公式：
我没有足够的系统信息来为您计算该值。 但是、您可以参考 此处链接的文档 、以获得有关计算此内容的帮助。 本文档是为半桥驱动器编写的、但应适用相同的规则。
此处建议的最高结温为125度、因此您需要小心谨慎。 总体而言、使用 FET 可以在27MHz 下运行、但您需要采取一些预防措施。 如果可能、我建议使用 WSON 封装并使用低 VDD。 此外、您还可以考虑添加栅极电阻器以降低驱动器中的功耗。 如果您的问题得到了解答、请将其标记为已回答。 如果您想获得更多帮助、能否提供更多信息、例如确切的 FET、VDD 和栅极电阻器值？
谢谢、
Alex Mazany
