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[参考译文] TPS650861：FET 上的最大输入和输出电容

admin
Guru**** 2379170 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD86360Q5D, CSD87350Q5D, TPS650861
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1024710/tps650861-maximum-input-and-output-capacitance-on-the-fet

器件型号：TPS650861
主题中讨论的其他器件：CSD86360Q5D、 CSD87350Q5D、

我对降压1、2和6的 MOSFET 电源块有疑问。

它们可以驱动的最大电容是多少？

我要查看的两个电源块是 CSD87350Q5D 和 CSD86360Q5D。

我知道数据表中推荐使用 CSD87350Q5D、但我想最大程度地降低功率损耗、以便我转向 CSD86360Q5D。 但是、电容要大1000pF、我要确保它不会超出 TPS650861的处理能力。

谢谢你  

艾伯特

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    TI__Guru**** 2379170 points
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    您好、Albert、

    我没有关于使用该特定 FET 测试 TPS650861的任何数据、您希望使用该 FET 的电流电平是多少？ 如果使用比 CSD87350Q5D 更大的 FET 、则可能会由于栅极电容增大而导致热问题、从而使 FET 的导通时间变慢。 CSD86360Q5D 可能适用于此系统、但您需要针对特定用例对其进行测试。  如果可能、我建议坚持使用 CSD87350Q5D。

    此致、

    Layne J

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    TI__Guru**** 2379170 points
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    好的，谢谢 Layne！

    我认为、我们只需要 FET 上的20A 电流、因此 CSD87350Q5D 就足够了。