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[参考译文] BQ78350-R1A:BQ78350

Guru**** 2535420 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ78350, TCA9800, BQ78350-R1, ISO1540, BQ76200, P82B96

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1024116/bq78350-r1a-bq78350

器件型号:BQ78350-R1A
主题中讨论的其他器件:BQ78350TCA9800BQ78350-R1ISO1540BQ76200P82B96

您好!

 

我对连接 BQ78350电池管理芯片 BQ78350有疑问。 在 PDF 文件中、您可以看到三个工程图。

1:bq78350通过连接在 B-上的电平位移 IC TCA9800进行通信。 在这种情况下、只要 DSG FET 处于活动状态且 CHG-FET 处于活动状态、就可以进行通信。 当 DSG 未激活时、表示没有通信、这不是问题、因为 U 控制器没有电源。 当电池充满电时、CHG FET 无法进行通信切换 、因为由于 CHG-FET 的内部二极管、GND 电平要高0.6V。 在这种情况下、高低电平不再相同。  当电池容量下降时、CHG FET 再次激活、通信再次恢复。  在此设置中、所有器件均未损坏、仅无法进行完全充电的通信 。

2:同一电路、仅 TCA 未连接到 B-、但它连接在 GND 侧。 充满电时也可以进行通信。 现在、当 负载的 DSG-FET 开关从 B 上断开时、比较棘手的部分-但它会尝试找到穿过 TCA 9800的路径、并且会这样做。 看起来路径会进入 BQ78350、而它会烧毁器件通信的 SMB 总线、这是再也无法实现的。

3:最后一张图是电隔离。 这两个世界是分开的,在所有情况下都能正常工作。  这种方法的缺点是它消耗的电流更大 、比如2mA。 这是很重要的。

在所有三个电路中,第一个设置似乎是正确的选择,因为功耗很低(SMB 通信的 uA),但完全充电时没有通信。

我的问题是、您在您这边有这种体验吗?
您是否有过的电压可能是电路的替代解决方案或改进。 这将始终保持通信流、并且总线通信的空闲时间真正低 uA?

e2e.ti.com/.../BMS_5F00_blockdiagram.pdf

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    尊敬的 Rens:

    TCA9800是一款电平转换 I2C 缓冲器、它在两侧之间共享相同的 GND、可能具有不同的电源电压。  低侧开关所需的器件是具有2个低侧基准的器件。

    在电路1中、当 DSG 关断时、负载将 GND 上拉至 P+(12V) 、SMB 线路也将上拉至大约12V、这将违反 TCA9800的 VI/O 电压限制。  如果您的电流限制小于20mA、则器件可能正常、您需要向 TCA9800专家确认、但您允许在电池上继续放电、这可能对电池不利或对电池造成损坏。  如果 CHG 关断时的充电与 B 电压和 P 电压相差很小、则电流可能是可耐受的、 但是、如果电池过热或电池出现故障、则 B 和 P 之间可能存在较大的电压差、因此在充电时应禁止产生较大的充电电流、因此这种情况可能无法接受。  请咨询您的电池制造商和任何相关的监管机构。

    2.正确、当电流流入或流出 BQ78350-R1的 SMB 线路时、可能会损坏。  对于电流限制、它可能不是、但它是不确定和不需要的。  流入和流出电池的电流仍然是问题、如#1所示。

    3. 这是一个非常紧凑的解决方案,但正如您所说,它需要电流。  提供 ISO1540或 ISO 1640等隔离器、并断开两侧之间的 GND、电源和信号。

    一般而言、此问题有3种解决方案、SMB (或 I2C)必须参考 P-:

    1. 使用与功率 FET 同时控制的信号 FET 来切换通信信号和 GND。  这会在故障条件下切断电池内部和外部的泄漏路径、但会在故障期间阻止通信、因此您无法询问电池有什么问题或帮助电池恢复。  电池必须自行恢复、或在施加充电器电压时恢复。   https://www.ti.com/lit/pdf/slua726的图10显示 了 BQ78350早期版本的示例概念。  但请注意不要构建锁存器、如果器件关闭/PRES 并关闭 FET、则故障可能无法恢复。   如果没有通信、仅使用通信信号、这可能会很好地工作。   
    2. 使用高侧开关、使 P-保持恒定、从而实现通信并避免通过通信线路泄漏。  
      1. N 沟道 FET: BQ76200是一款适用于电池应用的高侧驱动器、它使用 N 沟道 FET 并具有电荷泵来为 FET 供电、因此它会增加电流。 还有其他 FET 驱动器 IC 和电路可用于各种复杂程度的应用。
      2. P 沟道 FET: P 沟道 FET 也可以工作、可用选项可能更少。  另一个挑战是在需要时快速关闭放电 FET、因此可能需要一些电路。
    3. 使用隔离式接口:
      1. 隔离 IC 是 ISO1540等技术之一、它们会像您所注意到的那样供电。
      2. 光耦合器隔离电路在隔离器 IC 之前更为常见、它们可能仅在主动通信期间消耗功率。  I2C 是双向的、因此为了使接口保持双向、必须重新组合两个方向。  这可以通过 P82B96等 IC 来实现、但 IC 会增加功耗。   在 P82B96将方向路径与仔细偏置的晶体管相结合之前、  在某些情况下、将 MCU 上的发送和接收路径与单向信号分离可能会起作用、时钟拉伸可能不适用于 SMB。
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    您好、WM5295、

    感谢您的重播、让我看看设计中的其他问题和可能的危险。

    电路2是明确的、不会被使用
    电路3是具有但无空间且空闲电流不可取的最佳选择

    因此、电路1仍然是可选件 。我的电路中的负载不是电容器、而是开关模式电源。 因此、当 P-断开时、负载上没有电源 、并且将不活动、并且通过12V 的 FET 禁用到 GND 的路径。  我不认为这是一个问题。

     此致
    RENS