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器件型号：LM5175 主题中讨论的其他器件： LM5176
您好！
我们 已使用 LM5175开发出电池充电器。 我们目前遇到 的一个问题是、高侧 MOSFET (升压桥臂)变得非常热；尤其是在我们在充电器上电之前将电池连接到其输出端时。
我在 TI 论坛上找到了一篇下面的文章、其中介绍了我们目前正在处理的问题。
根据此帖子、有2种解决方案可解决此问题：
1添加额外 的肖特基二极管与 高侧 MOSFET (升压桥臂)并联。
2或使用 LM5176 IC。
我们目前无法在其他地方采购 LM5176、因此我们无法真正 使用该选项。 关于选项1、由于肖特基二极管在满负载(20A)时仍然变得很热、因此我们仍然无法完全满足这一要求。 该 IC 在二极管仿真模式(DEM)下运行。
为了解决这个问题、我们一直在使用补偿 RC 电路。 我们发现、减少交叉频率 可防止二极管变热、并防止 IC 在二极管仿真模式(DEM)下运行。
但是、它标志 着另一个问题、即它是否会导致任何"副作用"？例如不稳定、单元长期故障等
当使用补偿 RC 电路作为 TI 的建议和我们的实验补偿 RC 电路时、请参阅下面的波特图。
最后但同样重要的是、您是否有任何选择补偿器极点和零点的指南？
这些 参数与交叉频率之间的关系是什么？
如有任何建议，请提出。
谢谢、
VT
