[参考译文] LM5116：原理图和 PCB 布局验证

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1036720/lm5116-schematics-and-pcb-layout-verification

器件型号：LM5116
主题中讨论的其他器件： LM5145

e2e.ti.com/.../LM5116_5F00_new.xls

你(们)好。

我想重新检查降压转换器的原理图和布局、该转换器在7V 输出电压下的最大功率为150W。

MOSFET：BSC117N08NS5ATMA1

电感器：SRP1770C-6R8M

输出电容：270uF (23m Ω)，2个并联

(原理图中的补偿值是针对 ESR 为12m Ω 的输出电容器计算得出的)

11.5m Ω(来自 xls)的重新计算值

RCOMP-56.9K

CCOMP-2799pF

瑞士法郎-114 pF

e2e.ti.com/.../6232.schema.pdfe2e.ti.com/.../5684.GERBER.zip

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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您好 Pradeep、

VCCX 与什么绑定？如果未使用、则将 VCCX 连接到 GND。此外、由于这是一个低占空比应用、因此无需为高侧 FET 降低 Rdson。检查栅极驱动的 VCC 电流消耗(每个 FET 为 Qg*Fsw)。

此外、我建议在 FET 附近添加陶瓷输入电容、因为100uF 电解电容可能具有高 ESR 和 ESL。使用2.2uF 或4.7uF/100V/1210。输出也是如此-添加几个47uF/10V 电容器、因为这会降低有效 ESR (也进行重新补偿)。

LM5145通常优于 LM5116、因为它可提供更高的效率。请看一下 LM5145 5V/20A EVM 布局、因为规格非常接近此应用要求。有关功率级布局指南、请参阅应用手册 SNVA803。

此致、

Tim

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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您好，Timothy，

VCCx 连接到电容器和 GND，如果需要，可以将其连接到外部电源

我们已经使用 LM5116进行了第二次电路板迭代、因此现在可能无法更改 IC。

输出电容器是否有一系列 ESR 值，IC 在这些值中以优化的方式工作？

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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您好 Pradeep

感谢您联系并分享信息。除了 Tim 的评论之外、请参阅下面我的评论。

-根据 MOSFET 使用栅极电阻器
-VIN 引脚和 PGND 引脚之间的1uF 位置应尽可能靠近器件
使 EP 铜焊盘在顶层更大。它有助于热能耗散。
RC 缓冲器可能很有用、因为这是一种高功率设计。
- 使用靠近 MOSFET 的陶瓷电容器连接高侧 MOSFET 的漏极连接和低侧 MOSFET 的源极连接、使开关环路尽可能小。

请记住、客户负责组件选择和布局设计、以及验证和测试其设计实施以确认系统功能。

-Eric Lee (应用工程师)

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