[参考译文] LM5146：在并联条件下请求 MOSFET。

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1036579/lm5146-request-about-mosfet-in-parallel-condition

器件型号：LM5146

你(们)好

我设计了并联的 MOSFET。但是、它在并联时不起作用。

因此、我将频率更改为一半、它正常工作。

f：400kHz，并联 MOSFET =>无操作

f：200kHz、MOSFET single=>正常运行

这似乎是由于栅极电流不足造成的。对吗？

是否有方法可以并行驱动？

MOSFET -

BSC0802LS (Infineon) https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BSC0802LS-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae60170870e032d1d39

待机功耗规格为5W、我的电路板功率为6W。

让我知道如何改进。

谢谢

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2813875 points

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尊敬的 David：

这已经是一个3m Ω 的极低 Rdson FET、因此您可能不需要将它们并联。 Vgs = 7.5V 时每个 FET 的栅极电荷 Qg 为50nC、因此每个 FET 需要来自 VCC 的直流电流 Qg*Fsw = 50nC*400kHz = 20mA。因此、四个 FET 消耗的电流为80mAm、超出 VCC 电流限制。

此致、

Tim

电源管理（参考译文帖）

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[参考译文] LM5146：在并联条件下请求 MOSFET。