主题中讨论的其他器件: TPS27081A
您好、先生、
我们正在尝试使用 TPS27082L 作为 TPS27081A 的替代电源。
在元件的特性和外围电路部分、我们是否需要注意任何问题?
TPS27082L 内部方框图、如下表右侧所示。
我们是否要将 R109更改为0r Ω? 因为它已经具有内部 PD 12.5K 欧姆?
并作为规格 建议更改 R108>150K 欧姆?
或者、我们可以直接在 U15位置安装 TPS27082L 并保持外设电路设置?
此致、
廖约瑟
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您好、先生、
我们正在尝试使用 TPS27082L 作为 TPS27081A 的替代电源。
在元件的特性和外围电路部分、我们是否需要注意任何问题?
TPS27082L 内部方框图、如下表右侧所示。
我们是否要将 R109更改为0r Ω? 因为它已经具有内部 PD 12.5K 欧姆?
并作为规格 建议更改 R108>150K 欧姆?
或者、我们可以直接在 U15位置安装 TPS27082L 并保持外设电路设置?
此致、
廖约瑟
您好、Joseph、
感谢您加入 E2E!
R1电阻器会影响 Vin 到 Vout 压降。 150千欧等较大的 R1将最大程度地提高导通状态 Vgs-Q1、从而最大程度地减小 Vin 到 Vout 的压降
使用以下公式、 您可以确定将 Vgsq1设置为所需电平所需的电阻。
您是正确的;由于器件内部已经集成了一个内部导通下拉电阻器、因此无需外部导通下拉电阻器。
您似乎没有在 Vout 和 R1/C1之间选择 C1电容器。 这将导致典型值为5us 的 Trise 时间。 这是可以接受的吗? 如果需要更多上升时间、请在 Vout 和 R1/C1之间添加一个 C1电容器、您可以根据下表进行选择:
此致、
Elizabeth
您好、Elizabeth、
感谢您的及时响应和详细描述。
总结中还有一个问题、即如果我们要实现导通状态 Vgs-Q1的最大化并最大程度地减小 Vin 到 Vout 的压降、
R1值越高、R2的值就越高10倍、对吧?
U15外设电路上的电流
TPS27081A 公式:
VGS-Q1 =-3.3V*(100K /(100K+0))=-3.3V、RDS (ON)约为小于44m Ω
TPS27082L 公式:
VGS-Q1 =-3.3V*(100K /(100K+12.5K))=-2.93V、RDS (ON)约大于44m Ω
您好、Joseph、
关于 TPS27081A、
不受控制的快速上升开/关逻辑输入可能会导致输出端的高压摆率、从而导致非常高的 dv/dt、从而导致较高的浪涌电流。 为了控制浪涌电流、建议使用 TPS27081A 器 件连接一个电阻器 R2。
该 R2实际上是您之前在内部提到的 TPS27081L 的版本。 TPS27081L 内部电路的 Rs 功能与 R2引脚上的 R2电阻器类似、它将位于 TPS27081L 上。
关于 TPS27081L、
此致、
Elizabeth