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[参考译文] LM5088:MOSFET 备选器件型号选择

Guru**** 2380000 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5088, CSD19502Q5B, CSD18532KCS, CSD18542KCS
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1036201/lm5088-mosfet-alternate-part-no-selection

器件型号:LM5088
主题中讨论的其他器件: CSD19502Q5BCSD18532KCSCSD18542KCS

您好,

我在使用 LM5088 IC 的直流/直流18VDC/7A 板的设计阶段。  根据 TI 提供的参考电路、建议使用 的 MOSFET M1器件型号为 CSD19502Q5B。 但我想选择 Thurusole MOSFET 器件以简化我的设计和组装工作。

在我之前的设计中、我使用 P/N:CSD18532KCS MOSFET 的方式类似。  

我是否可以在当前设计中使用相同的 P/N:CSD18532KCS、而不是 P/N:CSD19502Q5B。 请 请检查并确认相同或建议使用 T0-220封装的替代器件。

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    您好、Maha、

    感谢您关注 TI FET。 请提供更多详细信息:输入和输出电压、开关频率和栅极驱动电压、以满足您的设计需求。 CSD19502Q5B 采用5x6mm SON 封装、电压为80V、最大值4.1mΩ@ VGS = 10V。 在 TO220中、CSD18532KCS 为60V、4.2mΩ μ A 最大值@ VGS = 10V、且栅极电荷略有降低。 请记住、通孔封装具有更高的寄生电感、这可能会导致更高的开关节点振铃。 如果需要、我建议在开关节点处使用 R-C 缓冲器、并将启动电阻器与启动电容器串联、以减少振铃。 另一个选项是 具有较高反向恢复电荷的 TO220中的 CSD18542KCS、60V、4mΩ μ A 最大值@ VGS = 10V。 如果您需要基于输入的更高或更低电压、我们还在 TO220中提供了40V、80V 和100V FET。 我们所有的80V 和100V FET 都需要最小栅极驱动电压 VGS >= 6V。 我们的大多数40V 和60V FET 的额定电压为 VGS = 4.5V。

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用