[参考译文] TPS61022：高侧开关？的功能是什么

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器件型号：TPS61022
主题中讨论的其他器件：TPS56C215、 TPS546C23、 TPS546D24

请？数据表、我想知道高侧开关的用途是什么、能够在 NOMS 和 PMOS μ 之间进行传输

？大多数同步升压、为何选择 PMOS 作为高侧开关、而选择 NMOS Δ I

在降压和升压应用中、PMOS 和 NMOS 之间有何差异？

在？升压或降压转换器内部的开关时、我们应该考虑什么

0 admin 4 年多前

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您好、Stanley、

该 HSFET 始终是 PMOS。之所以选择 PMOS、是因为我们有用于 LV 转换器的工艺、并且我们能够控制体二极管的方向。但是、对于更高的电压、我们没有该工艺、仍需要使用 NMOS。

对于降压转换器或升压转换器、我们专门为给定的 MOS 工艺选择裸片尺寸。设计将进行大量仿真、以确保选择具有适当 Rdson 的 FET、从而在工作条件下提供最佳的转换器效率。

例如、TPS546C23、TPS546D24或 TPS56C215等降压转换器专为低占空比、高输出电流条件而设计、因此 LSFET 需要具有较低的 Rdson。考虑到较高的输入电压范围、HSFET 有时需要比 LSFET 具有更高的 BVDSS (击穿电压)。谢谢！

－文豪

0 admin 4 年多前

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控制体二极管方向的目的是什么？上面显示的方框图 PMOS 没有体二极管。它应该用于实际的负载断开、对吧？

0 admin 4 年多前

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您好、Stanley、

是、用于负载断开功能。方框图是为了便于理解。您可以看到、FET 之间有一个开关。

－文豪

0 admin 4 年多前

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您好、Wenhao、

感谢您的善意回答、剩下的一个问题是、您为什么提到 HSFET 始终是 PMOS？"、低成本？简单

打开？

0 admin 4 年多前

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您好、Stanley、

对于我支持的器件、现在是 LV-BOOST。其中大部分 HSFET 是 PMOS。使用 PMOS 表示我们控制体二极管的工艺优势、因此当没有 Vin 或 EN 为低电平时、我们具有真正的关断模式。对于其他器件、HSFET 仍然可以是 NMOS、例如中高电压升压或降压/升压。谢谢！

－文豪

0 admin 4 年多前

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好的，我明白了~

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