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[参考译文] LMZM23600:环境热阻、数据表上的图81

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: LMZM23600
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/979600/lmzm23600-thermal-resistance-to-ambient-figure-81-on-the-datasheet

器件型号:LMZM23600

您好!

对于 LMZM23600数据表中的图81、我有一些问题。

 

1。
图形的垂直轴“环境热阻(C/W)”是否与 R_Theta_JA 相同,电路板尺寸环境除外?
R_Theta_JA 在第5页指定为45C/W。
我知道环境的热阻很大程度上取决于环境。 电路板尺寸是一个重要因素
但我觉得图81上的值与45C/W 的 R_Theta_JA 有一点不同
我想确认图81所示的内容。

 

2.
我想确认 Tj 在该器件中的位置。
“Tj”是否意味着与其他常用 IC 一样,此模块内的硅芯片温度?

此致
OBA

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    OBA、

    让我检查一下这个问题、并在今天或明天晚些时候返回给您。

    2.是的、TJ 是硅片的结温。

    Sam

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    OBA、

    45C/W 取自使用 JEDEC 标准的仿真、JEDEC 标准通常对实际测试不准确、尤其是对于电源 IC、尤其是对于模块。 该图提供了在工作台上测试的数据、因此该数据应用于估算热性能。

    Sam

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    Sam、您好!

    感谢您的回答、很抱歉我迟到了。

    我还有一些与以下帖子相关的其他问题。

    https://e2e.ti.com/support/power-management/f/196/t/758238

    Jimmy 回答如下。

    我将测量以外露电感为中心的温度。 在该器件的热特性化期间、我使用了一个指向外露电感 器的 IR 枪来帮助创建图69。   

    图69中的 Tj 实际上是电感器顶部的温度吗?
    还是使用 PSI_JT 参数根据电感器顶部的温度计算 Tj?

    Denislav 回答说:“我认为 PSI_JT 是从嵌入式芯片到层压 PCB 顶部测量得出的。”

    我无法理解在 PSI_JT 中“层压 PCB 顶部”在哪里。
    它是否正好位于电感下方? 我认为测量它是不可能的、也不可能知道 Tj。
    请您说明 PSI_JT 中的“顶部”在哪里?

    此致、

    OBA

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    OBA、

    顶部在嵌入 IC 的 PCB 基板顶部测量。 正确的是、电感器就在路上。 如果电感器旋转以站在其边缘并移动一点到侧面、则可以测量该顶部温度、因此它仍然处于电气连接状态、但您可以看到顶部。 结果将略好于电感器处于原始状态时、但它将是一个接近的估计值。

    Sam

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    Sam、您好!

    感谢您的回复。
    我了解 PSI_JT 顶部的位置。

    我现在还不清楚下面的问题
    图69中的 Tj 实际上是 Tj 还是电感器的顶部?

    >Jimmy 回答如下。

    >我将测量以外露电感为中心的温度。 在该器件的热特性化期间、我使用了一个指向外露电感 器的 IR 枪来帮助创建图69。   

    >图69中的 Tj 是否实际位于电感器顶部?

    此致、
    OBA

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    OBA、

    让我与 Jimmy 确认一下

    Sam

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    您好、Oba、

    很抱歉、我认为我可能在之前的 E2E 帖子中链接了错误的热阻图像。

    在上一篇文章中、我打算参考图82 (封装热阻与电路板铜面积间的关系)。 我参考图82作为快速指南、供客户用于快速检查其电路板是否足够大、以防止结温达到125摄氏度。  

    如果您想知道如何计算结温、我将在外露电感器的中心进行红外热像仪测量。  

    电感器安装在 PCB 基板上方、其中嵌入了硅片。

    对于此采用3D 贴装电感器的封装、通常的热瓶颈是电感器。  

    要计算 IC 的预期结温、我通常会执行以下操作:

    T_Junction = T_Top + Pdis (IC)*ΨJT μ s

    • T_top 是在暴露的3D 电感器中心获取的红外热像
    • Pdis (IC)是仅通过 IC 的功率耗散。 η η 从总功耗(PD = VOUT* IOUT*(1 μ H)/μ W)中减去通过电感器消耗的功率(Iout^2 * L_DCR)。

    如果您对此仍有疑问、请告诉我。  

    此致、

    Jimmy  

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    你好 Jimmy、

    感谢您的回复。

     

    让我确认一下。

     

    图81是从芯片(结)到空气的热阻数据。
    无法直接测量裸片。 然后、您测量了电感顶部的温度"T_TOP"。
    然后使用"T_junction = T_top + PDI (IC)*ΨJT "从这个 T_top 计算 Tj。 然后您得到图81。

    这是我的理解是否正确?

     

    我对 PSI_JT 的 T_top 仍有点困惑。
    在图81测量中、您使用电感顶部的温度作为 T_TOP。
    但另一方面、以 PSI_JT 为单位的 T_Top 似乎实际上是 PCB 基板顶部、就在电感下方。

     电感顶部和 PCB 基板顶部的温度是否几乎相同?

     

    此致、
    OBA

     

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    您好、Oba、

    在此封装结构中需要注意的一点是、电感器通常是此处的热瓶颈。  

    这意味着电感器的运行温度略高于 IC 本身。

    请注意电感器是如何直接放置在 PCB 基板顶部的。 从电感器到 PCB 基板会有一些共热、这将"几乎"归一来自电感器的热量和来自 PCB 基板的热量。

    因此、顶部电感器的温度将几乎与 PCB 基板相同。 此外、使用顶部电感器的温度将提供一个保守的值、这将提供一个更可靠的热设计。

    此致、

    Jimmy  

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    你好 Jimmy、

    感谢您的详细解释。 我很理解。
    那么、对于图81测量、您是否使用电感顶部的温度作为 Tj 或 ttop?

    此致、
    OBA

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    您好、Oba、

    电感器顶部的温度应为 ttop。

    根据您的输出应用、您可以从可用功率耗散曲线中找到 PD、然后计算适当的 Tjunction。  

    此致、

    Jimmy  

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    你好 Jimmy、

    我只想确认 图81中的 Tj 位置、该位置应为 Theta_JA
    因为您以前说过以下内容。 您是否使用此 ttop 作为 tj 或通过该 ttop 计算出的 tj?

     >我将测量以外露电感为中心的温度。 在该器件的热特性化期间、我使用了一个指向外露电感 器的 IR 枪来帮助创建图69。   

    此致、
    OBA

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    您好、Oba、

    在这里只需澄清一点、如果您想计算特定条件下的特定结温、红外摄像头获得的热测量值应以暴露的电感器为中心。 该热测量值被视为 T_Top。 然后、该 T_top 值可与 PD 和 PsiJT 一同使用、以估算实际 Tj 值。 此 T_top 值与 图81中所示的环境热阻值不同。 下面介绍了如何推导公式7。  

    请注意 、您所参考的图81是环境热阻(C/W)与电路板面积(cm^2)之间的关系。 这与以(C)为单位的热结或热顶部测量无关。

    图81显示了公式7后面的曲线。 请注意公式7是如何定义为125C - Ta_max)/PD 的。 了解应用的最高环境温度和功率耗散后、您可以计算出热阻与环境值的比值。 然后使用图81根据计算热阻环境值找到相应的电路板面积。 由于125C 是方程的一部分、因此通过图81、客户可以创建不超过125C 结的电路板设计。  

    如果您对该公式的推导方式感兴趣、请参阅随附 的应用手册 。