[参考译文] LM5122：低侧(隐藏侧)具有连接优势

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/981179/lm5122-low-side-hide-side-gets-connection-advantages

器件型号：LM5122

你好。我对 LM5122设计的功率 FET 有一些看法。我知道功率 FET 选择的实际规则：FET 的 VDS 必须比输出电压高2倍或更多。我开发的功率转换器：输入电压9-12V、输出电压34V、功率200W、频率-300kHz。我想、这里可以使用两个80V VDS FET。但 WB 建议使用2个60V VDS FET 作为低侧键。我的设计采用了2个60V VDS FET (一个作为低侧键、另一个-隐藏侧)、在这种情况下、低侧键在直流/直流转换器工作时会被消磁。具有较低 VDS 的2并行连接低侧 FET 有哪些不同用途？我可以在实际设计中使用它吗？

指向 WB 设计 webench.ti.com/.../SDP.cgi 的链接

4 年多前

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2539500 points

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您好 Anton、

感谢您的提问。您的 FET 确实需要 VDS 足够高(电压通常是经验法则规定的两倍、但也可能略小于两倍)、但它们还需要能够维持电路的最大峰值电流、并且不会损坏最大耗散功率。通常、所有这些信息都可以在 MOSFET 的数据表中找到。在这里、您应该并联使用两个 FET、以便它们能够维持所需的电流和耗散的功率。如果您在发布的 Webench 链接中向下滚动、您可以在 Operating Values - Categories - MOSFETS (工作值-类别- MOSFET)下看到它们消耗的功率、您可以将这些值与数据表中的值进行比较。请告诉我是否可以进一步帮助您。

此致、

Elisabetta

0 admin 4 年多前

TI__Guru**** 2539500 points

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您好 Anton、

我没有听到您的反馈，因此我假设您能够解决您的问题。如果不是、只需在下面发布回复(如果由于超时而锁定此主题、则创建新主题)。

谢谢、

Elisabetta

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