[参考译文] LM5117：认证期间的 EMI 噪声

尊敬的 Francesco：

对于噪音问题、请尝试以下操作：

1. 将 CSD18563Q5A 用于高侧 FET (更低的开关损耗)。 此外、CSD18540Q5B 具有145nC 的极高 Qrr、这会导致150-300MHz 范围内的噪声。 对于较低的 Qrr、请尝试将 CSD18563Q5A 或 CSD18531Q5A 置于低侧位置。
2. 如果需要、为 R150栅极电阻器安装4.7欧姆电阻器(并移除 D17)以减缓开关转换、但这会降低效率。
3. 使用屏蔽式电感器(通常虚线端子连接到 SW、因此绕组的 VOUT 侧提供一些屏蔽)。

以下是有关原理图的一些注释：

1. 引导电容 C50应为100nF。 2.2nF 过低。
2. IC 的 VIN 引脚附近无需 C82 2.2uF、100nF 就足够了。

此致、

Tim