请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号：BQ25895M 尊敬的 TI 成员：
当 BQ25895m 用于升压模式(OTG 使能且 PMID=5.1V)时、且电池处于放电状态。(无适配器或 USB 输入)
我已在升压模式期间使用电阻器将 TS 输入更改为低温和高温、然后我发现 VREGN 将放电至0V、升压模式将被禁用、IC 将进入运输模式。
当 IC 处于运输模式时、我使用了 QON 引脚。 我可以通过 I2C 将 BATFET_Disable 位(REG09[5])设置为1。
但是、当 IC 从升压模式进入运输模式时、即使温度恢复正常、温度处于低温或高温状态、它也无法恢复。
但数据表如下所示、
"为了在升压模式期间提供电池保护、该器件会监控电池温度是否处于 VBCOLDx 至的范围内
VBHOTx 阈值、除非 BOOST 模式温度通过将 BHOT 位置为11来禁用。 温度为时
在温度阈值之外、升压模式和 BATFET 被禁用、BATFET_DIS 位被设置为
减小 PMID 上的泄漏电流。 一旦温度返回阈值范围内、主机便可清除 BATFET_DIS
或在 QON 引脚上提供逻辑低电平到高电平的转换以启用 BATFET 和升压模式。"
请告诉我如何解决这个问题？
谢谢、
日文
