[参考译文] TPS65265：原理图审阅

您好 Muralidharan

您是否会以 PDF 格式向我发送原理图？ 上面的图片不是很清晰。 谢谢。

BR  

Ruby

尊敬的 Ruby：

请查找随附的 PDF 文档。

此致、

Nandini Muralidharan。

e2e.ti.com/.../TPS65265_5F00_3BUCK_5F00_CKT.pdf

您好 Muralidharan

以下是我的评论：

每个通道的负载电流是多少？  

Vout2：VDDFD (1.8V/1.2V/3A)是什么意思？ 这是否意味着通道2设计为输出1.8V 或1.2V？ 如果负载电流为3A、那么我建议使用饱和电流较高、可能为5A 的电感器。

我看到 L9的饱和电流仅为1.9A、对吧？ 我建议使用具有更高饱和电流的电感器。

谢谢。

BR

Ruby

尊敬的 Ruby：

负载电流如下：Vout1 - 0.9V/4A、Vout2 - 1.8V/3A、Vout3 - 1.8V/1A

2.是的、默认 BOM 中的 Vout2将为1.8V。 在某些特殊的 BOM 中、我们可能还会调整分压器以获得1.2V 电压。 对于该电源轨、O/p 电流将为3A。 TYA40202R2M-10电感器是否可用于该电源轨？  

该电感器是否可用于 L9？  74438336068

这些电感器具有更大的尺寸。 您能不能建议我们是否可以使用不同的频率、以便可以使用尺寸更小的电感器？  

我们的设计是否需要进行任何其他更改？

谢谢！

尊敬的 Ruby：

我们无法使用电感 器74438357222、因为它超过了2.8mm、这是我们的高度限制。 此外、它的长度和宽度看起来更大。

如何为这些电感器选择 Isat 值？ 是否有公式/准则？

您好 Muralidharan

必须考虑 ISAT 以避免电感器磁饱和。 因此、您应该计算电感器电流的最大值、并考虑至少0.2的裕度、这意味着 Isat >1.2 ILmax。 考虑到当前的情况、我认为0.5裕度要好得多。  

BR

Ruby

e2e.ti.com/.../S0001769A_5F00_3buck.pdf

由于我们希望减小电感器尺寸、因此我使用的是1MHz Fsw。 所附的原理图也已针对此进行了修改。 请帮助查看。
2. FB 环路和 LX 环路分立器件是否正常？
3.是否有进一步降低输入或输出电容器的空间？

负载电流/输出电压没有变化。

谢谢！

您好 Muralidharan

以下是我的评论：

1.对于 CH2、我建议使用22uF * 2 + 0.1uF =44.1uF 输出电容。

2.对于 CH3、我建议使用22uF * 2 + 0.1uF =44.1uF 输出电容、R121= 10kohm、C398=10pF、C399=100pF。

3.如果输入引脚彼此不靠近、在选择输入电容时、请确保在输入引脚附近连接了一个22uF 电容和一个0.1uF 电容。 因此、对于4个输入引脚、至少应该有4*22uF 和4*0.1uF 的电容器。 但在这种情况下、引脚13和引脚12是彼此相邻的输入引脚、因此请在 靠近这两个引脚的位置连接总计2*22uF +1* 0.1uF 的电容器、引脚30和引脚31是彼此靠近的输入引脚、 因此，再次将 2*22uF +1*0.1uF 电容器连接到这两个引脚附近。

4.选择输出电容时、建议 每个通道使用22uF * 2 + 0.1uF =44.1uF。

BR

Ruby

您好 Muralidharan

请告诉我什么是应用、如果可能、您会告诉我电源轨(输入来自哪里、输出来自哪里)吗？ 为什么需要这么小的尺寸？

非常感谢！

BR

Ruby

尊敬的 Ruby：

正如您提到的、我更改了电容器。 希望1MHz 的补偿和反馈环路值在电路中是正确的。

应用程序是2.5英寸驱动器。 输入5V 来自电阻器、输出为0.9V (控制器内核电源)、1.8V (NAND 闪存电源)、1.8V (控制器的 GPIO)

该设计中使用了许多 NAND 闪存和其他 IC。 因此、电路板面积非常小。 因此、我们需要使用小尺寸电感器。

谢谢！