This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] UCC21750-Q1:高侧开关栅极驱动器的布局

Guru**** 2771175 points

Other Parts Discussed in Thread: UCC21750-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/977797/ucc21750-q1-layout-of-the-gate-driver-for-the-high-side-switches

器件型号:UCC21750-Q1

您好!

我对 UCC217xx 系列的建议 PCB 布局有疑问。

这里的建议是、不能为高侧栅极驱动器使用接地平面。 假设 COM (连接到 IGBT 的发射极或 SiC 的源极)将在调制频率下振荡。 而低侧栅极驱动器则并非如此。 如果我在这里错了、请纠正我的问题。

下一点指出、如果我不在输出侧使用接地平面、 即、在我的实施中、由于电流差异很大、我需要将 DESAT 和 AIN 接地环路的返回路径与栅极接地环路分开。 但我不理解的是如何实现这一点。 这是单独返回路径的概念并不清楚。

论坛是否可以帮助您找到适合这种情况的解决方案?

此致、
Harsh Songara

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Harsh、

    我们这方面的专家目前不在办公室。 他将很快作出答复。

    此致、

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、耐受、

    您可以重新上传图片吗? 它未显示。

    谢谢、

    Krystian

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    请告诉我这是否可见

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的、我相信不是。

    屏幕截图是第11部分。 布局。 这位于 UCC21750-Q1数据表的第47页。

    这应该就足够了。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、耐受、

    对于您的第一点、不建议使用大接地层来防止从高电压侧耦合到隔离栅的低电压侧。 较小的平面或布线使设计人员能够战略性地将 COM 网放置在远离低电压信号的位置、以实现更好的抗噪性能。

    第二点正确、返回路径实际上无法分离、因为它们具有相同的参考点(器件的 COM 引脚)。 让我更仔细地了解一下这一评论、并与我的团队进行讨论。 我下周早些时候可以回来。

    感谢您的耐心等待。

    此致、

    Andy Robles

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Andy:

    我了解了通过使用更小且放置距离更远的 HV 接地层防止 LV 接地平面(LV-GND)和 HV 接地平面(COM)之间耦合的要点。

    我将在考虑这两个因素的情况下尝试改进设计。

    同时、请尽快确认第二点。

    谢谢、

    苛刻

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、耐受、

    感谢您的耐心等待。 我将在下周中旬再次与您进行合作。

    此致、

    Andy Robles

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    苛刻、  

    有关分离接地层的注释本质上意味着从 COM 到 DEST/AIN 上的无源器件/二极管尾端的走线应尽可能靠近器件 COM 引脚并远离 IGBT 发射极、此时会产生非常大的电流。 这与 MOSFET 具有开尔文连接的原因以及我们将 COM 连接到开尔文源极引脚而不是全脂肪源极引脚的原因非常相似。  

    示例:

    在我们连接 IGBT 的情况下、由于 IGBT 传递一吨电流、因此将有一条宽度非常大的线迹连接到器件的发射极、与我们必须将器件引用到发射极相比、该线迹连接到 COM 的迹线要小得多。  

    DESAT 和 AIN 电阻器/电容放置方式可能会使其在布局中更加方便、只需将其路由到 IGBT 发射极连接的大迹线/焊盘即可。  

    相反、建议将 COM 连接的布线远离发射极并靠近器件引脚、如下所示。  

    请按绿色按钮、告诉我这是否回答了您的问题

    最好

    Dimitri

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Dimitri、

    感谢你的答复。 对这一较晚的答复表示歉意。 我已经参加了学术考试。

    我查看了您的回复、并理解了基本概念。 但是、如果您没有经验、您会建议:

    1.一个 COM 平面、对于过孔和元件放置而言非常小、可避免复杂的布线、或

    2.使用跟踪路由所有 COM 连接

    谢谢、

    此致、

    Harsh Songara

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、耐受、

    问得好!

    我建议使用一个可以完成工作的小平面来参考高压侧的所有电路、而不是使用大量迹线。 许多布线可能会导致复杂布线混乱。

    此致、

    Andy Robles

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    谢谢、

    Harsh Songara