主题中讨论的其他器件:ISO5852S
[由于照片显示问题而重新发布]
尊敬的 TI 代表:
我们将 ISO5852用于半桥 SiC MOSFET。 VDC 总线为~200V、目标是在2us 内以 Vds ~ 1.4V 的电压触发 DSAT。 电路片段如下所示:
当 Q2被预偏置打开、然后有目的地打开 Q1时、在击穿测试期间、保护工作正常。 顶部/底部 Iso5852上的 DSAT 信号测量显示了有趣的波形:
Q2似乎首先触发 DESAT、这是有道理的。 但是、我不知道为什么顶部 DESAT 错过了第一个触发器? 突出显示的区域在1us 以上远高于+9V。
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