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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980950/lm5106-about-the-minimum-dead-time-of-lm5106
您好！
我将设计音频 D 类放大器。
因此、我正在寻找能够承受80V 或更高电压的栅极驱动器。
(我不会使用 TI 的单芯片 D 类。)
我想知道是否可以使用 LM5106。 我想将死区时间设置为大约30ns、以实现低失真。
LM5106的最小死区时间值是多少？ 此外、它是否适合我想要的应用？
B.R.Tak
您好、Tak、
根据 d/s 中的第7.1节、驱动器 IC 可通过将 RDT 引脚短接至 GND 来实现最短死区时间。
从图19中可以看出、由于 DT 与 RDT 成正比、因此您可以推断 RDT = 0欧姆、对应于~50ns。
此致、
-Mamadou
