[参考译文] LM5181：EMI 布局审查

大家好、Bob！

请告诉我有关噪声的更多信息。 什么频段以及什么测量技术？

原理图上的一个注意事项是 D50的齐纳电压。 24Vin、带24V 齐纳二极管、可在 SW 上获得~48V 尖峰。 选择较低的齐纳电压可降低该尖峰(并降低 EMI)、但会延长该尖峰的持续时间。

布局将 C2放置在远离 VIN 和 GND 引脚的位置。 为了处理高频噪声、这个电容器应该有一个从 VIN、经过电容器、到 GND 的低电感路径。 将该电容器放置在 C96的左侧、并将 EN/UVLO 走线移至中间层。

您还可以在保持 D50和 D52就位的同时将 IC 和周围组件稍微向左移动。 这将减少有噪声的 SW 走线的长度/面积。

最后(这更难测试)、如果在初级侧和次级侧交换变压器的引脚、噪声可能更小。 变压器通常不是对称结构。 点通常表示绕组开始、如果有多层、通常在底部或内部。 这应该被连接至 SW、这是因为与顶部/外部绕组相比、下部/内部绕组被 PCB GND 平面和外部绕组更好地屏蔽。

除了这些建议、它看起来非常好。

Sam

尊敬的 Sam：

关注的频率约为142.50 MHz。 随附的是频谱分析仪的快照。

我将继续执行建议的更改。

谢谢、

Bob

尊敬的 Sam：

请查看新的位置。

谢谢、

Bob

尊敬的 Sam：

附件是供您查看的最新位置。

谢谢、

Bob