[参考译文] BQ24170：实际充电电流不符合设定的充电电流

Siddharth、

是否可以禁用系统负载(移除 R315和 R316)并移除 Q15？

此致、

Ricardo

您好、Ricardo、

我选中了这两个选项、但它不会产生任何影响。 我有一个旧的原型板、其中我设计了充电电流限制为2.5A 的同一电路。 该板正常工作。 在该板上、我将 R303值更改为23.2K 、以将充电电流设置为1.5A、这也起作用。

因此、两个电路板的原理图现在都是相同的。 与旧原型板相比、我遇到此问题的新板具有不同的布局。

当我说不同的布局时、这意味着组件的放置方式略有不同。 与之前的电路板一样、我的大多数组件都只在一层上。

在新电路板中、由于空间限制、我不得不在另一层上移动一些更大的元件。 例如、U39和 D24 位于底层、而 L4位于顶层。

此外、较旧的电路板具有 PGND 和 SGND、但 它们在布局中使用 U39电源板进行了桥接。 较新的电路板、由于空间限制、我没有拆分接地。

因此、我怀疑它是器件问题或布局问题。 但当我将电流更改为1.8A 时、电流会从1.1线性变为1.4A。 因此、我觉得这不是布局问题。 但我现在有点困惑。 我在多个电路板上看到了问题。 我已经检查了所有电路板的电压、它们似乎都适用于1.5A、0.3V。

您认为问题可能是什么？  

谢谢、

Siddharth

Siddharth、

您能否共享这两个布局文件？

此致、

Ricardo

e2e.ti.com/.../AWAK10574C_5F00_MCU-Board_5F00_20201124_5F00_3.pcbe2e.ti.com/.../AWAK_5F00_EM1A_5F00_PCB_5F00_V1.0.pcbe2e.ti.com/.../LAYERS.pdfe2e.ti.com/.../LAYERS.pdf

您好、Ricardo、

随附的是布局文件以及 PDF 版本的布局文件。 此主板是我的系统主板，因此它包含多种其它电路以及充电电路。 我随附了一个 Word 文件、其中包含两个电路板的充电电路部分的屏幕截图、便于您轻松找到该区域。 EM1A 的文件名是较旧的电路板。 两个电路板都是10层 boards.e2e.ti.com/.../Layout_5F00_Screenshots-for-Both-Version-of-Boards.docx

如果您有疑问、请告诉我。 我怀疑电路板组装过程中的任何组件值都可能不正确。 不太可能、但我今天会检查并更新您的信息。 您也可以沿着这个方向思考。

您好、Ricardo、

我有一个意见要分享：

我检查了两个板上 R294上的压降。  

正常工作的旧板、压降为15.2mV、非常适合1.5A。 较新的电路板压降为11mV、这是我实际得到的1.1A 电流对应的值。 因此、这意味着、如果充电器 IC 的电压为11mV、它仍应增加电流、直到压降达到15mV。

这能提供任何线索吗？  

谢谢、

Siddharth

Siddharth、

两个电路板上 R284两端的压降是多少？

此致、

Ricardo  

您好、Ricardo、

在工作正常的较旧电路板上、R284上的压降为~12.5mV。  

对于较新的电路板、压降为~9.2mV。

我详细阅读了数据表、并根据12.1 Poin 2和 Poin 3部分中的布局指南、电感器和感应电阻器需要放置在与充电 IC 相同的层中。 但在我较新的电路板中、它们 位于顶层、而充电 IC 位于底层。 我的板是一个10层板。 我将电感器放置在顶层、因为底部有一些高度限制。 您认为这可能是根本原因吗？

此外、SRP 和 SRN 线路并非与开尔文的接触完全连接。  在较旧的电路板中、所有元件都位于同一层、对于 SRP 和 SRN、遵循开尔文触点。

请告诉我您的想法。 为了进行测试、我计划将电感器降低到2.2uH。 我觉得、由于它位于不同的层上、因此总电感可能会更高、从而使电流无法满足设定值 。 因此、我将减小要测试的值。

否则、我必须更改布局、以便遵循指南中的 PON#2和#3。 你说什么？

谢谢、

Siddharth

Siddharth、

您可能会在这里走上正确的轨道。 我怀疑布局可能会对应用电路的性能产生影响、因为您的布局与建议的布局有很大不同。 请告诉我您的新电路板版本是如何执行的。

此致、

Ricardo

您好、Ricardo、

更新我的新电路板布局后、我将更新您。 但在此之前、我想告诉大家将电感器更改为2.2uH 的结果。

因此、即使将电感器更改为更小的值、实际电流仍在1.15A 左右、而不是1.5A。 如果我们认为电感可能更高、因为从 SW 引脚到电感器的信号通过10层传输、那么我本来希望降低电感器应该已经显示出一些改进。

因此、我现在需要某种证据或信息、说明导致这种现象的布局可能会发生什么情况。 如果以某种方式回答了这一点、那么我们非常确定它仅是可疑的布局。 您能想到或想象一下可能会发生什么情况吗？

谢谢、

Siddharth

您好、Ricardo、

我想补充一点，由于 SRP 和 SRN 不是作为差分对布线的，因此 IC 的电压可能与我在 R294上测量的电压稍有不同。 我将尝试查看是否可以精确测量 IC 引脚上的 SRP 和 SRN 电压。 在数据表第7页中、为不同的 VSRP-VSRN 提供了充电电流调节精度。 它看到的压降越低、精度就越低。

您可以告诉我您的想法。 如果可能、我将尝试检查引脚上的电压。

谢谢、

Siddharth

Siddharth、

是否可以尝试短接 ACN 和 ACP 以禁用 DPM？

此致、

Ricardo

您好、Ricardo、

我对您有一个很好的发现。 电池充电时、R94上的压降为11mV、我之前也曾向您介绍过。 但今天、我检查了 C258上的压降、它是15mV。

我认为这就是充电 IC 限制电流的原因。 在我的布局中、充电 IC U39是底层、R294是顶层、C258也是顶层、但 R294和 C258之间的连接(通过 R295穿过底层、 因为 R295是底层。 用于 SRN 侧。 对于 SRP 侧、R294和 C258之间的连接穿过内层并返回顶层。

我想、由于布局中的这种异常、该路径中的电阻会有所增加、这会导致 C258上的压降高于 R294。

因此、一旦我更改布局并遵循 SRP 和 SRN 的适当差分对路由、就应该解决此问题。 你怎么看？

谢谢、

Siddharth

Ricardo、

R294而不是 R94。

Siddharth、

这很可能会解决您的问题。 请告诉我它是如何为您服务的。

此致、

Ricardo