我希望对下列项目作一些澄清：
1) 1) I.Trip 上的容差：它是什么？ 数据表仅显示典型值为10uA。 该值的变化将影响过流保护阈值的精度。
2) 2)低侧 MOSFET 导通电阻(R.DS (on) L)：实际最大值是多少？ 4.94mohms (取自电气特性表)、5.7mohms (取自电流感测和过流保护)、还是两者都不是？ 您是否有 Rdson (用于高侧和低侧 FET)随温度变化的曲线图？
3) 3)电气特性表中的 IOCP 阈值与电流检测和过流保护中提供的公式之间存在差异：公式和特性表不一致(数学信息请参阅下面的)。
来自数据表：
使用公式3：
V.TRIP = R.TRIP * I.TRIP =(49k Ω)*(10uA)= 490mV
修改公式4以仅表示电感器电流的谷值电平：
I.OCL (w/R.DS (on) L = 5.7mohms)= V.TRIP/(8*R.DS (on) L)= 490mV/(8*5.7mohms)= 10.74A
I.OCL (w/ R.DS (on) L = 4.94mohms)= V.TRIP/(8*R.DS (on) L)= 490mV/(8*5.7mohms)= 12.39A
这两个 R.DS (on) L 值与电气特性表中规定的11.5A I.OCP 阈值不匹配。 为了使表与等式对齐、R.DS (on) L 必须等于~5.33mohms。
I.OCL (w/R.DS (on) L = 5.7mohms)= V.TRIP/(8*R.DS (on) L)= 490mV/(8*5.33mohms)= 11.4916A
对典型条件应用相同的逻辑、典型的 R.DS (on) L 必须等于~4.07mohms。
I.OCL (带 R.DS (on) L = 4.07mohms)= V.TRIP/(8*R.DS (on) L)= 490mV/(8*4.07mohms)= 15.0491A
感谢您的任何帮助！
