[参考译文] LM66100：反向电压保护

[引用 user="Inderjit Bains"]

 1.数据表第8.3.2节中的电路是否能够防止反向电流和反向电压？

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它将防止反向电流。

如果采用反向电压、则表示 VOUT>VIN、但 VIN>0、则是、在这种情况下、它将切断 FET。  

如果您同时需要这两者、则可以在 RPP 配置中使用 PMOS/二极管或 LM66100策略、然后再使用第二个策略。 另一张海报发现、出于他的目的、2个 LM66100实际上最适合实现 RCB + RPP。  

此处详细介绍了这些配置；

值得注意的是、这种仅使用单个 LM66100 8.3.2的配置将无法防止 LM66100输入的反极性。  

[引用 user="Inderjit Bains"]

2. Voff 指定为0V 至80mV。  如果睡眠模式中的 Iout 为6uA、则 Voff 是否仍为0V 最小值？

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这种表示法有点令人困惑。

在 AlwaysOn RCB 配置中、如果有6uA 流经 LM66100 FET、VOUT Vout 乘以 Voff。  

[引用 user="Inderjit Bains"]

3. 在任何情况下，输出电压是否可以< 0V？

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否

[引用 user="Inderjit Bains"]4.  什么是 Ircb (典型值0.5A、最大值1A)、反向激活电流？   对于第8.3.2节中的电路、反向电流是否必须高达1A 才能阻断反向电流？[/引述]

如上所示、它为0.5A-1A。 其原因是该器件的 RON 非常低、典型值为~80m Ω、因此至少需要如此大的电流才能满足 Voff 要求

阈值。  

因为，Voff 规格为80mV=RON*1A

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Dimitri