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器件型号：ISO5852SDWEVM-017 主题中讨论的其他器件： ISO5852S、 UCC21750、 ISO5852S-EP
大家好、
我们希望通过基于 ISO5852SDWEVM-017的电路驱动 CAS480M12HM3 (SiC-MOSFET)。
因此、我们有四个问题。
[第1季度]
如果您有用于驱动 SiC-MOSFET 的测试报告(DATA)、能否向我发送数据？
因为、我们希望查看 EVM 上的实际波形。
(OUTH 和 OUTL 之间的开关频率和死区时间、DESAT 功能行为、VCC1和 VCC2电压、其他器件引脚等)
[第2季度]
如果 ISO5852SDWEVM-017具有限制值、您可以告诉我们最大开关频率值吗？
此外、您能否告诉我们合适开关频率的设置方法？
[第3季度]
如果 ISO5852SDWEVM-017具有限制值、您能告诉我们 OUTH 和 OUTL 之间的最短死区时间吗？
而且，我们知道 ISO5852S 无法设置死区时间，但您能告诉我们合适死区时间的设置方法吗？
[第4季度]
我们猜测当 NI+和 IN-被切换时(“从高到低”或“从低到高”)，在 EVM 上的 ZXTN2010ZTA 和 ZXTP2012ZTA 上会出现小通流。
因此、您能否告诉我们防止电源电压(VCC2)噪声和异常行为的对策？
此致、
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