[参考译文] CSD75208W1015：能否将双 FET 用作一对来生成电流镜？

您好、Lanhua、

再次感谢您关注 TI FET。 我在产品开发过程中提取了收集的特性数据。 正如我在前一个答复中指出的、这不包括跨导。 测试了来自不同批次的多个样本。 与该数据中的两个器件匹配的最佳指标是阈值电压。 在所有测试样本中、两个 FET 的平均阈值电压分别为0.7951mV 和0.7940mV。 我还比较了几个单独器件上的阈值电压、数据表中指定的0.8V 典型阈值上的匹配值小于0.01mV 或小于1.25%。  我咨询了一位参与开发此器件的同事。 他指出，TI 定义的“Vth”是饱和的 Vgs，它提供250uA 的电流(而不是传统的模拟 Vth 定义)。  因此、250uA 时的饱和 Vgs 实际上是饱和区传输特性的一个点、它是 gm_sat 匹配能力的良好指标。 总的来说、我们相信这两个 FET 将非常紧密地匹配、并且应该在您的应用中令人满意地工作。