大家好、
客户需要知道 REGN 的栅极驱动能力。 您能否分享 REGN 的 V-I 曲线？
如果下面的计算适合获取驱动电流、96mA 时的 V_regn 必须高于 V_TH、对吧？
I_drv = Qg *[ MOSFET 数量]* fsw
= 30nC * 4 * 800kHz
= 96mA
(所有 FET 不会同时导通、因此 MOSFET 的数量应该是*2？)
此致、
Kazuto
您好、Kazuto、
启用转换器时、REGN 电流限制的典型值为65mA、如 EC 表所示。 我们无法分享完整的 V-I 曲线、但根据我们的测试、65mA 是保守的。 即使负载略高于65mA、REGN 电压仍为6V。
关于栅极驱动电流计算、仅2个 FET 将同时以800kHz 的频率进行开关、因此您应该乘以2而不是4。 总体而言，REGN 电流能力应足以支持客户的应用，采用30 nC FET，但请确保客户验证其设计，以确保安全。 您可以使用 BQ25710 EVM 来协助评估。
最后、客户使用什么 FET？ QG = 30nC 明显高于 EVM 上使用的 CSD17551Q3A FET 的 Qg、 在 Vgs = 4.5V 时 Qg = 6nC 的 FET。根据我们的经验、Qg 高达30nC 的 FET 对于效率而言是过高的、因为开关损耗占主导地位、而不是传导损耗。
此致、
Angelo
