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[参考译文] BQ34110:BQ34110的初始编程是否需要 BAT 引脚上的电压进行编程?

Guru**** 2609895 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34110

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/978617/bq34110-does-initial-programming-of-bq34110-require-voltage-at-bat-pin-to-program

器件型号:BQ34110

这是我在 BQ34110上的第一个项目。

该设置为20节串联镍氢电池、具有一个分压器、该分压器需要接通 VEN 才能向 BAT 引脚获取电压。 此设置基于数据表。

现在、监测计认为已施加0mV 电压、但通过 Regin 引脚供电。 监测计处于睡眠模式。

我在其他论坛帖子中看到、需要将"Flash Update OK Voltage"设置为0mV、以说服监测计接受写入。

但是、无法更改"闪存更新正常电压"、因为监测计认为它具有0V 并且不会更新该值。 这是一个问题22。

我已按下"PIN_CONTRAL_EN"按钮、可以看到 PCTL_EN 已设置。

我尝试发送0x006c 至0x00来打开 VEN 引脚、但没有任何变化。

有什么想法如何在不修改硬件的情况下对该器件进行编程?

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    下面是一些详细信息:

    数据表指出:

    "在尝试写入经过更新的分压器值之前、应将 bq34110放入其中
    校准模式,禁用当测量电压()<闪存时写入 DF 的限制
    更新了"确定电压"。 否则、器件可能会阻止更新分压器的新值。"

    我已尝试如下操作:

    取消密封完全访问->校准切换->验证 CAL_EN 是否为高电平->尝试更新数据存储器中的分压器。

    尝试该操作将产生:"读取写入的数据比较失败"。 它还会使芯片退出校准模式。 CAL_EN 现在为低电平。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    好的、现在解决了这一问题:

    两个问题:

    首先、监测计在闪存更新正常电压中配置为2800mV、最好在编程前将其作为初始设置在0V。

    否则、您必须进入校准模式才能将该值写入0。 这在 BQ Studio 中是不清楚的、即使您不处于校准模式、它也允许您进行写入、但不会抱怨、它只是抛出错误。 Bq Studio 具有警告您正在发生的情况所需的所有信息、但它不会发出警告。

    第二个。 您需要 REG25上至少1uF 的电容。 这是以文本形式显示在数据表中、而不是以图像形式显示。 我没收到这个。 我的差。 REG25上的电容有了很大的改善。 如果您没有此闪存写入将失败、监测计将重新启动。