[参考译文] BQ25710：栅极驱动器的 MOSFET 选择

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器件型号：BQ25710
主题中讨论的其他器件：CSD17551Q3A、 CSD17578Q3A

您好！

数据表介绍了如何在开关损耗方面选择降压/升压 MOSFET、但未提及栅极驱动器的功能。从 Ciss 或下面 BATFET 等栅极驱动能力的角度来看、您是否有任何建议值可供选择降压/升压 MOSFET？

> BATDRV 引脚只能在 Ciss 低于5nF 的情况下驱动电池 MOSFET。建议使用1nF~3nF 范围内的 Ciss。

此致、
Kazuto

5 年多前

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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您好、Kazuto、

我们建议也使用具有低 Ciss 的开关 FET。例如、EVM 上使用的 CSD17551Q3A FET 的典型 Ciss 为1050pF。如果 Ciss 较大、则开关 FET 的导通/关断时间会更慢、这会降低效率。

选择开关 FET 时的一些关键注意事项是避免 Rdson、Qg、Qgd、Ciss 和 Vgs (th)过大。这些参数都会影响 FET 的导通速度以及 FET 导通时的电阻电平。我们建议使用 CSD17551Q3A FET (用于 EVM)或较新的 CSD17578Q3A (具有较低的 Rdson)。也可以使用其他 FET、但请使用这两个 TI FET 建议作为参考点、并避免偏离这些建议太远。

此致、

Angelo

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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你好、Angelo、明白了。谢谢！

此致、
Kazuto

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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您好、Angelo、

客户需要知道 REGN 的栅极驱动能力。您能否分享 REGN 的 V-I 曲线？

如果下面的计算适合获取驱动电流、96mA 时的 V_regn 必须高于 V_TH、对吧？

I_drv = Qg *[ MOSFET 数量]* fsw
= 30nC * 4 * 800kHz
= 96mA

(所有 FET 不会同时导通、因此 MOSFET 的数量应该是*2？)

此致、

Kazuto

0 admin 5 年多前

TI__Guru**** 2782575 points

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