[参考译文] UCC21540-Q1：米勒平坦区域期间导通之间的导通电阻有多大？

admin

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器件型号：UCC21540-Q1

大家好、

您能否告诉我米勒平坦区域期间导通之间的导通电阻有多大？

数据表显示：

'输出级上拉结构具有一个 P 沟道 MOSFET 和一个并联的附加上拉 N 沟道 MOSFET。 N 沟道 MOSFET 的功能是提高峰值拉电流、从而实现快速导通。这是通过在输出状态从低电平变为高电平的狭窄瞬间短暂导通 N 沟道 MOSFET 来实现的。"

我想知道(1)米勒平坦区域期间的导通电阻(2)平坦区域之后的导通电阻。

此致、
Ochi

0 admin 4 年多前

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您好！

米勒平坦区的导通电阻为 Rnmos || Lon、为1.47 || 5 = 1.13欧姆。在平坦区域之后、随着内部 RnMOS 关断、导通电阻增加到5欧姆。

此致、

Krystian

0 admin 4 年多前

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您好、Krystian

谢谢你。我了解到 S Rnmos || Lohn 为1.47 || 5 = 1.13欧姆。

顺便说一下、我看不到您附加的图。如果您附加了参考图以更详细地了解该参考图、能否重新发送？

此致、
Ochi

0 admin 4 年多前

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您好！

这是内部上拉结构作为参考时的样子。这是数据表的第9.3.4节。

这里还有一个技术说明、您可以更详细地了解一下该结构的内容。

此致、

Krystian

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