该驱动器称为低侧栅极驱动器。 我知道它不能用于驱动高侧 N 沟道 MOSFET。 但是、它无法驱动高侧 P 沟道 FET 有任何原因吗? 我的系统仅为9V、因此我没有任何 Vgs-max 问题。 如果驱动器的输出从轨到轨摆动、我看不到它也无法驱动高侧 PFET 的任何原因。 但文档中明确提到它是一个低侧驱动器、因此我想确保我不会忽略任何内容。
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您好、Mamadou、
我不需要负偏置- PFET 将位于负载的高侧、而不是低侧。 请允许我参考有关栅极驱动器的 TI 应用手册:
https://www.ti.com/lit/ml/slua618a/slua618a.pdf
我将查看第5.1.1节、P 沟道直接驱动。 由于 P-FET 位于高侧、我不需要生成负偏置、因此当栅极驱动至0V 时、它将打开、而当栅极驱动至 Vin 时、它将关闭。 由于我的输入电压仅为9V、因此我不需要进行任何电平转换、这在第5.1.2节中进行了介绍。
因此、当栅极驱动至 Vin 和 GND 时、该 P-FET 将正确导通和关断。 如果控制器需要低侧开关、使用反相栅极驱动器将允许我纠正栅极驱动极性。
考虑到这一点、UCC27321是否适用于此应用?
谢谢、
Dave