This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/976145/lm5069-lm5069---gate-series-resistor-of-parallel-mosfet-application
尊敬的专家：
如果我们需要提高额定功率、我们是否应该在 LM5069解决方案中使用更多并联 MOSFET？
现在、我们使用了由 LM5069控制的4个并联 MOSFET。
请您建议正确的方向吗？
将串联电阻放在每个 MOSFET 的栅极上？ 还是直接将所有栅极连接在一起？
建议使用哪种栅极串联电阻值？
谢谢你。
Aska
您好、Aska、
感谢您的支持！
您能否填写 LM5069设计计算器并将其发送给我们进行审核？ 设计计算器位于 TI.com 上的产品文件夹下
是的、我们必须使用并联 FET 来支持更高的电流、方法是通过每个 MOSFET 的4.7 Ω 串联电阻器连接栅极。
此致、Rakesh
尊敬的 Rakesh：
感谢您的回复。
到目前为止、我的电路上的串联电阻为3欧姆。
实际上、我不了解计算器的详细信息。 但我尝试填充它。
您能否检查是否有任何问题？
谢谢。
Askae2e.ti.com/.../LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.zip
该设计无法满足所选 FET 的 SOA 裕度要求。 您需要使用更强大的 SOA MOSFET、例如 PSMN4R8-100BSE。 请使用 PSMN4R8-100BSE 参数修改设计、并发送给我进行审核。
您能否在您的系统中分享此电路的用例？ 您是否需要48V/100A 保护解决方案？
听从您的建议、我今天就拿到了样片(PSMN4R8-100BSE)。
由于输入电压可在48V 至30V 之间变化、因此输入电流最大应为70A 至100A 但它仅为6~7分钟的运行时间(从最小电流到最大电流)。
因此、100A 的运行时间应为10 ~ 20秒。
在我测试新的 MOSFET 之前、您能帮助查看该文件吗？
非常感谢。
Askae2e.ti.com/.../6114.LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.zip
明白。
但10-20秒仍被视为 FET 的直流电。
请根据所附的设计表使用参数。
e2e.ti.com/.../2117.LM5069_5F00_Design_5F00_Calculator_5F00_REV_5F00_C.xlsx
我将遵循您的建议(6个并联)。
BR、
